[发明专利]在金属氧化物基底上制造纳米结构的方法和薄膜器件有效
| 申请号： | 200980118172.6 | 申请日： | 2009-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN102037165A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | P-J·阿莱;P·罗卡伊卡巴罗卡斯 | 申请（专利权）人： | 综合工科学校;科学研究国家中心;原子能委员会 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/60 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 林柏楠;彭飞 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及在金属氧化物基底(2)上制造纳米结构(1)的方法，包括下述步骤：a)在金属氧化物基底(2)上形成金属聚集体(3)；和b)在覆盖有金属聚集体的金属氧化物基底(2)上使纳米结构(1)气相生长，在一种或多种前体气体存在下加热该基底，且纳米结构(1)的气相生长被金属聚集体(3)催化。根据本发明，金属聚集体形成阶段a)包括通过还原性等离子体处理将所述金属氧化物基底的表面还原的操作，致使在基底(2)上形成金属聚集体(3)的微滴，金属聚集体形成阶段a)和纳米结构生长阶段b)在单个共用等离子体反应室(4)中接续进行，纳米结构生长直接在金属聚集体(3)的微滴上进行。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 基底 制造 纳米 结构 方法 薄膜 器件 | ||
【主权项】：
在金属氧化物基底(2)上制造纳米结构(1)的方法，包括下述步骤：a)在所述金属氧化物基底(2)上形成金属聚集体(3)，b)在覆盖有金属聚集体(3)的所述金属氧化物基底(2)上使纳米结构(1)气相生长，在一种或多种前体气体存在下加热所述基底，且纳米结构(1)的气相生长被金属聚集体(3)催化，其特征在于：‑形成金属聚集体的步骤a)包括通过还原性等离子体处理将所述金属氧化物基底的表面还原的操作，致使在所述金属氧化物基底(2)的表面上形成金属聚集体微滴(3)，‑所述步骤a)形成金属聚集体和b)使纳米结构生长在单个相同的等离子体反应室(4)中接续进行，纳米结构的生长是通过CVD或PECVD直接在金属聚集体微滴(3)上进行的。
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