[发明专利]形成由半导体衬底支撑的结构的方法

摘要

一些实施例包括形成由半导体衬底支撑的结构的方法。可在衬底上形成辐射可成像材料且将其图案化为至少两个经分离特征。可在所述特征上且跨越所述特征之间的一个或一个以上间隙形成第二材料。可从所述特征释放至少一种物质且将其用以变更所述第二材料的一部分。可相对于所述第二材料的未经变更的另一部分而选择性地移除所述第二材料的所述经变更部分。又，可相对于所述第二材料的所述经变更部分而选择性地移除辐射可成像材料的所述特征。所述第二材料可含有分散于有机组合物中的一种或一种以上无机组份。从辐射可成像材料的所述特征释放的所述物质可为在此有机组合物内形成交联的酸、羟基或任何其它合适物质。

主权项

一种形成结构的方法，其包含：在半导体衬底上形成辐射可成像材料；将所述辐射可成像材料光刻图案化为至少两个经分离特征；所述经分离特征之间具有一个或一个以上间隙；在所述至少两个经分离特征上且跨越所述至少两个经分离特征之间的所述一个或一个以上间隙形成第二材料；烘烤在其上具有所述第二材料的所述特征以释放变更所述第二材料的至少一种物质；未经变更第二材料相对于所述经变更第二材料可选择性地移除，且所述特征相对于所述经变更材料可选择性地移除；所述烘烤将所述至少一种物质从所述特征转移至所述第二材料的接近于所述特征的区中以变更所述区，同时留下所述第二材料的其它区未经变更；相对于所述第二材料的所述经变更区而选择性地移除所述第二材料的所述未经变更区；以及相对于所述第二材料的所述经变更区而选择性地移除所述特征以留下所述第二材料的所述经变更区的至少一个结构。