[发明专利]多层半导体晶片的处理有效
| 申请号： | 200980116042.9 | 申请日： | 2009-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102017126A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 阿列克塞杰·罗丁;阿德里恩·博伊尔;尼尔·布伦南;约瑟夫·卡拉甘 | 申请（专利权）人： | 伊雷克托科学工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3213;B23K26/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈晓帆;沙捷 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用来加工带图案硅片或在带图案硅片形成特征的方法和装置，其特征在于包括：利用具有1-1000ps脉冲宽度的第一脉冲激光器(4)光束去除晶片表面层的一部分；以及利用具有200-1100nm波长的第二脉冲激光器(5)光束去除晶片表面层下面的体硅(1)的一部分。再沉积的硅可通过腐蚀处理从晶片上去除。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 半导体 晶片 处理 | ||
【主权项】：
一种用来加工带图案硅片或在带图案硅片上形成特征的方法，包括：a.利用具有1‑1000ps脉冲宽度的第一脉冲激光束去除部分晶片表面层；以及b.利用具有200‑1100nm波长的第二脉冲激光束从晶片上去除表面层下面的部分体硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
