[发明专利]多层半导体晶片的处理

权利要求书

1.一种用来加工带图案硅片或在带图案硅片上形成特征的方法，包括：

a.利用具有1-1000ps脉冲宽度的第一脉冲激光束去除部分晶片表面层；以及

b.利用具有200-1100nm波长的第二脉冲激光束从晶片上去除表面层下面的部分体硅。

2.如权利要求1所述的方法，包括利用腐蚀处理去除晶片上的再沉积硅。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中所述第一脉冲激光束具有1000-1100nm的波长。

4.如上述任一项权利要求所述的方法，其中所述第二脉冲激光束由具有1-500ns脉冲宽度的调Q激光器产生。

5.如权利要求1-3之一所述的方法，其中所述第二脉冲激光束具有1-1000ps的脉冲宽度。

6.如权利要求2-5之一所述的方法，包括利用二氟化氙进行腐蚀。

7.如权利要求2-5之一所述的方法，包括湿法化学腐蚀。

8.如权利要求2-5之一所述的方法，包括干法化学腐蚀。

9.如权利要求2-8之一所述的方法，其中使用腐蚀处理来清除晶片表面和晶片经加工的壁中至少一个上的碎屑。

10.如上述任一项权利要求所述的方法，包括在晶片上形成互连的通孔或盲孔。

11.如权利要求1-9之一所述的方法，包括对晶片进行切割或划分处理。

12.一种被布置成用来加工带图案硅片或在带图案硅片上形成特征的装置，其包括：

a.第一激光器，被布置成提供具有1-1000ps脉冲宽度的第一脉冲激光束以便去除部分晶片表面层；

b.第二激光器，被布置成提供具有200-1100nm波长的第二脉冲激光束以便从晶片上去除表面层下面的部分体硅；和

c.用来将第一和第二激光束定位在晶片相同位置上的装置。

13.如权利要求12所述的装置，包括腐蚀装置以通过腐蚀去除晶片上的再沉积硅。

14.如权利要求12或13所述的装置，其中所述第一脉冲激光束具有1000-1100nm的波长。

15.如权利要求12-14之一所述的装置，其中所述第二激光器是具有1-500ns脉冲宽度的调Q激光器。

16.如权利要求12-14之一所述的装置，其中所述第二脉冲激光束具有1-1000ps的脉冲宽度。

17.如权利要求12-16之一所述的装置，包括对准装置，以便将第一和第二激光束的路径同轴对准，以定位在晶片的相同位置上。

18.如权利要求13-17之一所述的装置，其中所述腐蚀装置被布置成利用二氟化氙进行腐蚀。

19.如权利要求13-17之一所述的装置，其中所述腐蚀装置被布置成提供湿法化学腐蚀。

20.如权利要求13-17之一所述的装置，其中所述腐蚀装置被布置成提供干法化学腐蚀。

21.如权利要求13-20之一所述的装置，其中所述腐蚀装置被布置成提供湿法化学腐蚀以清除晶片表面和晶片经加工的壁上的碎屑。

22.如权利要求12-21之一所述的装置，其被布置成在晶片上形成互连的通孔或盲孔。

23.如权利要求12-21之一所述的装置，其被布置成切割或划分晶片。

24.如权利要求12-23之一所述的装置，包括同步装置，其被布置成使脉冲从第一和第二激光器按顺序发射，以便以预定顺序将各激光器的脉冲传送到晶片上。

25.如权利要求12-24之一所述的装置，包括机器视觉系统，其被布置成沿着激光束路径成像，以易于实现晶片和第一、第二激光束之间的相对位置。

26.如权利要求12-25之一所述的装置，包括转换装置，以便在第一激光器和第二激光器之间转换控制脉冲。

27.如权利要求26所述的装置，其中所述转换装置被布置成，在接收到由所述转换装置接收到的一串控制脉冲中的触发脉冲之后，即在第一激光器与第二激光器之间转换输出控制脉冲。