[发明专利]用于借助于放热纳米膜生成密封的电馈通部的方法有效
| 申请号： | 200980115169.9 | 申请日： | 2009-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN102017110A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | J·瑙恩多夫;H·武尔克施 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张涛;李家麟 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于生成至少一个被定位在衬底(3)上以及封装(5)内的电子器件(7)通向封装(5)外部的至少一个电连接(1)的方法。电连接(1)的功能性将在高于140℃的环境温度时以及在高损耗功率的情况下以及在极端的环境影响的情况下被提供。本发明的特点在于，通过激光器将具有可有针对性地通过放热触发的反应的反应式纳米膜(2)用于产生密封的电连接(1)。借助于纳米膜(2)，可以提供电连接(1)的输出端以及电连接(1)与至少一个另外的电接触部的接触。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 借助于 放热 纳米 生成 密封 电馈通部 方法 | ||
【主权项】：
一种用于生成至少一个被定位在衬底(3)上以及封装(5)内的电子器件(7)通向封装(5)外部的至少一个电连接(1)的方法，其特征在于下列步骤：将至少一个结构化的在两侧分别涂覆有焊剂层的反应式纳米膜(2)固定在衬底(3)上，所述焊剂层形成电连接(1)；使电子器件(7)在纳米膜(2)的背向衬底(3)那侧接触纳米膜(2)；在衬底(3)和/或纳米膜(2)上生成围绕电子器件(7)的封装(5)；在封装(5)外部、在电连接(1)离开封装(5)的输出端处激活纳米膜(2)的放热反应，以封闭输出端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
