[发明专利]用于借助于放热纳米膜生成密封的电馈通部的方法有效
| 申请号: | 200980115169.9 | 申请日: | 2009-04-28 |
| 公开(公告)号: | CN102017110A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
| 发明(设计)人: | J·瑙恩多夫;H·武尔克施 | 申请(专利权)人: | 西门子公司 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张涛;李家麟 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 借助于 放热 纳米 生成 密封 电馈通部 方法 | ||
1.一种用于生成至少一个被定位在衬底(3)上以及封装(5)内的电子器件(7)通向封装(5)外部的至少一个电连接(1)的方法,其特征在于下列步骤:
将至少一个结构化的在两侧分别涂覆有焊剂层的反应式纳米膜(2)固定在衬底(3)上,所述焊剂层形成电连接(1);
使电子器件(7)在纳米膜(2)的背向衬底(3)那侧接触纳米膜(2);
在衬底(3)和/或纳米膜(2)上生成围绕电子器件(7)的封装(5);
在封装(5)外部、在电连接(1)离开封装(5)的输出端处激活纳米膜(2)的放热反应,以封闭输出端。
2.根据权利要求1所述的方法,
其特征在于,
在封装(5)外部激活纳米膜(2)的放热反应,以使电连接(1)接触至少一个电接触部。
3.根据权利要求1所述的方法,
其特征在于,
激活纳米膜(2)的单次放热反应,以同时封闭所述输出端以及使电连接(1)接触至少一个电接触部。
4.根据权利要求1、2或3所述的方法,
其特征在于,
借助于激光束激活纳米膜(2)的放热反应。
5.根据权利要求4所述的方法,
其特征在于
二氧化碳激光器和/或二极管激光器的激光束。
6.根据权利要求1至5之一所述的方法,
其特征在于,
借助于粘合剂将纳米膜(2)固定在衬底(3)上。
7.根据权利要求1至6之一所述的方法,
其特征在于,
借助于导电粘合剂使电子器件(7)接触纳米膜(2)。
8.根据权利要求1至7之一所述的方法,
其特征在于,
借助于玻璃和/或陶瓷生成封装(5)。
9.根据权利要求1至8之一所述的方法,
其特征在于,
生成至少一个电通孔接触部(13),所述电通孔接触部(13)从纳米膜(2)穿过衬底(3)到达衬底(3)的背向纳米膜(2)那侧上的至少一个金属化部(15)。
10.根据权利要求9所述的方法,
其特征在于,
借助于多层高温共烧陶瓷(HTCC;高温多层陶瓷)生成所述通孔接触部。
11.一种装置,具有至少一个被固定在衬底(3)上以及封装(5)内的电子器件(7)通向封装(5)外部的至少一个电连接(1),其特征在于,所述装置根据前述权利要求之一生成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





