[发明专利]光电转换元件的制造方法、通过其制造的光电转换元件、光电转换元件组件的制造方法以及通过其制造的光电转换元件组件无效

专利信息
申请号: 200980114831.9 申请日: 2009-04-27
公开(公告)号: CN102017279A 公开(公告)日: 2011-04-13
发明(设计)人: 臼井弘纪 申请(专利权)人: 株式会社藤仓
主分类号: H01M14/00 分类号: H01M14/00;H01L31/04
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 苗堃;金世煜
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种光电转换元件的制造方法,该方法能够容易地制造具备牢固地与使用钛的电极接合的端子的光电转换元件。光电转换元件(100)的制造方法,具备:导体形成工序,在具有由钛或含钛的合金构成的金属板(4)和催化剂层(6)的第一电极(10)的催化剂层(6)的表面上,或在具有透明导电体(1)的第二电极(20)的透明导电体(1)的表面上,形成多孔氧化物半导体层(3);色素担载工序,使光增感色素担载于多孔氧化物半导体层(3);密封工序,在第一电极(10)和第二电极(20)之间通过密封材料(14)包围多孔氧化物半导体层(3)及电解质(5)进行密封;以及端子形成工序,在金属板(4)上形成端子(7);在端子形成工序中,端子(7)是通过含铜及镍中至少一方的金属部件以按压在金属板的方式被加压并且对上述金属部件施加超声波而形成的。
搜索关键词: 光电 转换 元件 制造 方法 通过 组件 以及
【主权项】:
一种光电转换元件的制造方法,其特征在于,具备:半导体形成工序,在具有由钛或含钛的合金构成的金属板和催化剂层的第一电极的所述催化剂层的表面上,或者在具有透明导电体的第二电极的所述透明导电体的表面上,形成多孔氧化物半导体层,色素担载工序,使光增感色素担载于所述多孔氧化物半导体层,密封工序,在所述第一电极和所述第二电极之间通过密封材料包围所述多孔氧化物半导体层和电解质而进行密封,以及端子形成工序,在所述第一电极中除被所述密封材料的外周包围的表面以外的表面,在所述金属板上形成端子;在所述端子形成工序中,所述端子是通过含铜及镍中至少一方的金属部件以按压在所述金属板的方式被加压并且对所述金属部件施加超声波而形成的。
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