[发明专利]光电转换元件的制造方法、通过其制造的光电转换元件、光电转换元件组件的制造方法以及通过其制造的光电转换元件组件

权利要求书

1.一种光电转换元件的制造方法，其特征在于，具备：

半导体形成工序，在具有由钛或含钛的合金构成的金属板和催化剂层的第一电极的所述催化剂层的表面上，或者在具有透明导电体的第二电极的所述透明导电体的表面上，形成多孔氧化物半导体层，

色素担载工序，使光增感色素担载于所述多孔氧化物半导体层，

密封工序，在所述第一电极和所述第二电极之间通过密封材料包围所述多孔氧化物半导体层和电解质而进行密封，以及

端子形成工序，在所述第一电极中除被所述密封材料的外周包围的表面以外的表面，在所述金属板上形成端子；

在所述端子形成工序中，所述端子是通过含铜及镍中至少一方的金属部件以按压在所述金属板的方式被加压并且对所述金属部件施加超声波而形成的。

2.如权利要求1所述的光电转换元件的制造方法，其特征在于，

所述多孔氧化物半导体层形成在所述透明导电体上。

3.如权利要求1或2所述的光电转换元件的制造方法，其特征在于，

所述第一电极，在从相对于所述第一电极的表面垂直的方向看所述第一电极时，具有沿比被所述密封材料的外周包围的区域更外侧延伸的延伸部，

所述端子形成在所述延伸部。

4.如权利要求1或2所述的光电转换元件的制造方法，其特征在于，

在所述第二电极的所述第一电极侧的表面上，从被所述密封材料包围的区域到所述密封材料的外周的外侧设有由金属构成的集电配线，

所述端子，在从相对于所述第一电极的表面垂直的方向看所述第一电极时，在所述第一电极的与所述第二电极侧相反侧的表面上的被所述密封材料包围的区域中，形成于与所述集电配线重合的位置。

5.如权利要求1或2所述的光电转换元件的制造方法，其特征在于，

在所述第二电极的所述第一电极侧的表面上，从与所述密封材料重合的区域到所述密封材料的外周的外侧设有由金属构成的集电配线，

所述端子，在从相对于所述第一电极的表面垂直的方向看所述第一电极时，在所述第一电极的与所述第二电极侧相反侧的表面上的与所述密封材料重合的区域中，形成于与所述集电配线重合的位置。

6.一种光电转换元件的制造方法，其特征在于，具备：

端子形成工序，在具有由钛或含钛的合金构成的金属板和催化剂层的第一电极的所述金属板的表面上形成端子，

半导体形成工序，在具有透明导电体的第二电极的所述透明导电体的表面上形成多孔氧化物半导体层，

色素担载工序，使光增感色素担载于所述多孔氧化物半导体层，以及

密封工序，使所述第一电极和所述第二电极相对，在所述第一电极和所述第二电极之间通过密封材料包围所述多孔氧化物半导体层和电解质，以所述端子不被所述密封材料包围的方式进行密封；

在所述端子形成工序中，所述端子是通过含铜及镍中至少一方的金属部件以按压在金属板的方式被加压并且对所述金属部件施加超声波而形成的。

7.一种光电转换元件的制造方法，其特征在于，具备：

半导体形成工序，在具有由钛或含钛的合金构成的金属板和催化剂层的第一电极的所述催化剂层的表面上形成多孔氧化物半导体层，

色素担载工序，使光增感色素担载于所述多孔氧化物半导体层，

端子形成工序，在所述第一电极表面上的没有形成所述多孔质半导体的区域中，在所述金属板上形成端子，以及

密封工序，使具有透明导电体的第二电极和所述第一电极相对，在所述第一电极和所述第二电极之间通过密封材料包围所述多孔氧化物半导体层和电解质，以所述端子不被所述密封材料包围的方式进行密封；

在所述端子形成工序中，所述端子是通过含铜及镍中至少一方的金属部件以按压在金属板的方式被加压并且对所述金属部件施加超声波而形成的。

8.如权利要求7所述的光电转换元件的制造方法，其特征在于，

所述端子形成工序处于所述色素担载工序之前。

9.如权利要求1～8中任一项所述的光电转换元件的制造方法，其特征在于，在所述端子形成工序中，所述端子是所述金属部件边加热边形成的。

10.一种光电转换元件，其特征在于，是通过权利要求1～9中任一项所述的光电转换元件的制造方法而制造的。