[发明专利]在硅上制备用于太阳能电池制造的陶瓷钝化层的方法有效
| 申请号： | 200980114020.9 | 申请日： | 2009-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102017097A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | K·罗德;H·维泽尔 | 申请（专利权）人： | 科莱恩金融(BVI)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;H01L31/0216;C23C18/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 邓毅 |
| 地址： | 英属维尔京*** | 国省代码： | 维尔京群岛;VG |
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| 摘要： | 本发明涉及在结晶硅上制备钝化层的方法，通过a)采用含有至少一种通式(1)：-(S iR′R″-NR″′)n-的聚硅氮烷的溶液涂布所述硅，其中R′、R″、R″′相同或不同且彼此独立地表示氢或任选取代的烷基、芳基、乙烯基或(三烷氧基甲硅烷基)烷基，n为整数且如此确定n，使得该聚硅氮烷的数均分子量为150～150000g/mol，b)随后通过蒸发除去溶剂，由此在硅晶片之上留下厚度为50-500nm的聚硅氮烷层，和c)在空气或氮气的存在下在常压下将该聚硅氮烷层加热到200-1000℃，其中在热处理时陶瓷层释放出氢从而使硅本体钝化。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 用于 太阳能电池 制造 陶瓷 钝化 方法 | ||
【主权项】：
在结晶硅上制备钝化层的方法，通过a)采用含有至少一种通式(1)的聚硅氮烷的溶液涂布所述硅‑(Si R′R″‑NR″′)n‑ (1)其中R′、R″、R″′相同或不同，且彼此独立地表示氢或任选取代的烷基、芳基、乙烯基或(三烷氧基甲硅烷基)烷基，其中n为整数且如此确定n，使得该聚硅氮烷的数均分子量为150～150000g/mol，b)随后通过蒸发除去溶剂，由此在硅晶片之上留下厚度为50‑500nm的聚硅氮烷层，和c)在空气或氮气的存在下在常压下将该聚硅氮烷层加热到200‑1000℃，其中在热处理时陶瓷层释放出氢从而使硅本体钝化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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