[发明专利]在硅上制备用于太阳能电池制造的陶瓷钝化层的方法

权利要求书

1.在结晶硅上制备钝化层的方法，通过

a)采用含有至少一种通式(1)的聚硅氮烷的溶液涂布所述硅

-(Si R′R″-NR″′)_n-    (1)

其中R′、R″、R″′相同或不同，且彼此独立地表示氢或任选取代的烷基、芳基、乙烯基或(三烷氧基甲硅烷基)烷基，其中n为整数且如此确定n，使得该聚硅氮烷的数均分子量为150～150000g/mol，

b)随后通过蒸发除去溶剂，由此在硅晶片之上留下厚度为50-500nm的聚硅氮烷层，和

c)在空气或氮气的存在下在常压下将该聚硅氮烷层加热到200-1000℃，其中在热处理时陶瓷层释放出氢从而使硅本体钝化。

2.权利要求1的方法，其特征在于，在衬底上形成陶瓷层

Si_uN_vH_wO_xC_y    (4)

其中u＝1；v＝1.3-0；w＝3-0；x＝1.3-0；y＝1.5-0，

且该陶瓷层作为用于本体钝化的氢扩散源。

3.权利要求1和/或2的方法，其特征在于，该聚硅氮烷溶液含有至少一种全氢化聚硅氮烷(其中R′、R″和R″′＝H)。

4.前述权利要求中至少一项的方法，其特征在于，在空气存在下进行涂布，且形成组成为x＞v的相，其中v＜1且x＜1.3且不等于0，以及w＝2.5-0且y＜0.5，其中每种情形下u为1。

5.权利要求1和/或2的方法，其特征在于，在氮气存在下进行涂布，且形成组成为v＜1.3且x＜0.1，以及w＝2.5-0且y＜0.2的相，其中每种情形下u为1。

6.前述权利要求中至少一项的方法，其特征在于，陶瓷层的层厚度范围为10-200nm。

7.前述权利要求中至少一项的方法，其特征在于，该聚硅氮烷溶液含有催化剂，以及任选的其它添加剂。

8.前述权利要求中至少一项的方法，其特征在于，将该陶瓷层施加到n型硅上。

9.前述权利要求中至少一项的方法，其特征在于，将该陶瓷层施加到p型硅上。

10.含有至少一种通式(1)的聚硅氮烷的聚硅氮烷溶液用于在结晶硅上制备钝化层的用途

-(SiR′R″-NR″′)_n-    (1)

其中R′、R″、R″′相同或不同，且彼此独立地表示氢或任选取代的烷基、芳基、乙烯基或(三烷氧基甲硅烷基)烷基，其中，n为整数且如此确定n使得该聚硅氮烷的数均分子量为150～150000g/mol。