[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200980113810.5 | 申请日： | 2009-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN102007586A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 宫入秀和;大力浩二;惠木勇司;神保安弘;伊佐敏行 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/205;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 所公开的是一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管在具有绝缘表面的衬底上包括：覆盖栅电极的栅极绝缘层；起沟道形成区域作用的半导体层；以及包含赋予一导电类型的杂质元素的半导体层。该半导体层以多个晶粒分散在非晶硅中且晶粒具有倒锥形或倒金字塔形的状态存在。晶粒沿半导体层沉积的方向大致放射状生长。倒锥形或倒金字塔形的晶粒的顶点远离栅极绝缘层与半导体层之间的界面。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括如下步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成栅电极；在所述栅电极上形成栅极绝缘层；将所述栅极绝缘层暴露于包含氮的气体，以使所述栅极绝缘层中的氧浓度小于或等于5×1018cm‑3，并且使所述栅极绝缘层中的氮浓度大于或等于1×1020cm‑3且小于或等于1×1021cm‑3；在所述栅极绝缘层上形成半导体层；在所述半导体层上形成源区及漏区，其中所述源区及漏区包含半导体及对所述半导体赋予一导电类型的杂质；以及在所述源区及漏区上分别形成源电极及漏电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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