[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括如下步骤：

在具有绝缘表面的衬底上形成栅电极；

在所述栅电极上形成栅极绝缘层；

将所述栅极绝缘层暴露于包含氮的气体，以使所述栅极绝缘层中的氧浓度小于或等于5×10¹⁸cm^-3，并且使所述栅极绝缘层中的氮浓度大于或等于1×10²⁰cm^-3且小于或等于1×10²¹cm^-3；

在所述栅极绝缘层上形成半导体层；

在所述半导体层上形成源区及漏区，其中所述源区及漏区包含半导体及对所述半导体赋予一导电类型的杂质；以及

在所述源区及漏区上分别形成源电极及漏电极。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述包含氮的气体为氨气。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述包含氮的气体为包含氨气及氢气的混合气体。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

使用包含半导体原料气体及稀释气体的混合气体进行所述半导体层的形成。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

使用包含半导体原料气体及稀释气体的混合气体进行所述半导体层的形成，以及

其中所述半导体原料气体选自氢化硅气体、氟化硅气体及氯化硅气体。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

使用包含半导体原料气体及稀释气体的混合气体进行所述半导体层的形成，以及

其中所述稀释气体选自氢气、氮气以及氨气。

7.一种用于制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括如下步骤：

在具有绝缘表面的衬底上形成栅电极；

在处理室中，在所述栅电极上形成栅极绝缘层；

从所述处理室取出所述衬底；

使用氮化硅覆盖所述处理室的内壁；

将所述衬底设置在所述处理室中，以使所述栅极绝缘层中的氧浓度小于或等于5×10¹⁸cm^-3，并且使所述栅极绝缘层中的氮浓度大于或等于1×10²⁰cm^-3且小于或等于1×10²¹cm^-3；

在所述栅极绝缘层上形成半导体层；

在所述半导体层上形成源区及漏区，其中所述源区及漏区包含半导体及对所述半导体赋予一导电类型的杂质；以及

在所述源区及漏区上分别形成源电极及漏电极。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括清洗所述处理室的步骤，

其中在从所述处理室取出所述衬底之后且在将所述衬底设置在所述处理室中之前进行所述处理室的所述清洗。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括将所述栅极绝缘层暴露于包含氮的气体的步骤。

10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括将所述栅极绝缘层暴露于氨气的步骤。

11.如权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括将所述栅极绝缘层暴露于包含氨气及氢气的混合气体的步骤。

12.如权利要求7所述的方法，其特征在于，

使用包含半导体原料气体及稀释气体的混合气体进行所述半导体层的形成。

13.如权利要求7所述的方法，其特征在于，

使用包含半导体原料气体及稀释气体的混合气体进行所述半导体层的形成，以及

其中所述半导体原料气体选自氢化硅气体、氟化硅气体及氯化硅气体。

14.如权利要求7所述的方法，其特征在于，

使用包含半导体原料气体及稀释气体的混合气体进行所述半导体层的形成，以及

其中所述稀释气体选自氢气、氮气以及氨气。