[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体基板的清洗方法有效
| 申请号： | 200980113209.6 | 申请日： | 2009-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN102007578A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 大见忠弘;寺本章伸;长谷部类;宫下雅之 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东北大学;斯特拉化工公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在半导体基板等的清洗中，需要进行至少由5个工序构成的清洗。本发明提供一种清洗方法，其包括：利用含有臭氧的超纯水进行清洗的第一工序、利用含有表面活性剂的超纯水进行清洗的第二工序、以及利用含有超纯水和2-丙醇的清洗液除去来源于表面活性剂的有机物的第三工序。第三工序后，照射氪气等稀有气体的等离子体，将来源于表面活性剂的有机物进一步除去。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 清洗 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，在经过将至少表面为半导体的基板的所述半导体表面利用含有臭氧的超纯水进行清洗的第一工序、在赋予500kHz以上的频率的振动的同时利用含有氢氟酸、过氧化氢水、超纯水和表面活性剂的清洗液对所述表面进行清洗的第二工序、和利用含有2‑丙醇和超纯水的清洗液对所述表面进行清洗的第三工序，向所述表面照射稀有气体等离子体后，进行在所述表面形成栅绝缘膜的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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