[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体基板的清洗方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，在经过将至少表面为半导体的基板的所述半导体表面利用含有臭氧的超纯水进行清洗的第一工序、在赋予500kHz以上的频率的振动的同时利用含有氢氟酸、过氧化氢水、超纯水和表面活性剂的清洗液对所述表面进行清洗的第二工序、和利用含有2-丙醇和超纯水的清洗液对所述表面进行清洗的第三工序，向所述表面照射稀有气体等离子体后，进行在所述表面形成栅绝缘膜的工序。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述第二工序的超纯水中添加有氢。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述第二工序中添加于超纯水中的氢的浓度为0.01ppm到1.6ppm的范围。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第二工序的表面活性剂为非离子系表面活性剂。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第二工序的表面活性剂的浓度为10ppm到500ppm。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第二工序的氢氟酸浓度为0.1％到3％。

7.根据权利要求1至6中任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第二工序的过氧化氢水浓度为0.1％到10％。

8.根据权利要求1至7中任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一工序的含有臭氧的超纯水中的臭氧浓度为2ppm到50ppm的范围。

9.根据权利要求1至8中任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第三工序的2-丙醇浓度为30％到50％。

10.根据权利要求1至9中任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，利用所述稀有气体等离子体的照射，将由残存于所述表面的表面活性剂引起的有机物除去。

11.根据权利要求10中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，利用所述稀有气体等离子体的照射，将所述表面的终端氢除去。

12.根据权利要求1至11中任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述稀有气体为氪气、氩气、氙气中的至少一种。

13.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述稀有气体为氪气。

14.一种半导体基板的清洗方法，其特征在于，包括利用含有臭氧的超纯水进行清洗的第一工序，和在赋予500kHz以上的频率的振动的同时利用含有氢氟酸、过氧化氢水、超纯水和表面活性剂的清洗液进行清洗的第二工序，和利用含有2-丙醇和超纯水的清洗液进行清洗的第三工序。

15.根据权利要求14所述的半导体基板的清洗方法，其特征在于，在所述第二工序的超纯水中添加有氢。

16.根据权利要求14所述的半导体基板的清洗方法，其特征在于，在所述第二工序中添加于超纯水中的氢的浓度为0.01ppm到1.6ppm的范围。

17.根据权利要求14所述的半导体基板的清洗方法，其特征在于，所述第二工序的表面活性剂为非离子系表面活性剂。

18.根据权利要求14所述的半导体基板的清洗方法，其特征在于，所述第二工序的表面活性剂的浓度为10ppm到500ppm。

19.根据权利要求14所述的半导体基板的清洗方法，其特征在于，所述第二工序的氢氟酸浓度为0.1％到3％。

20.根据权利要求14所述的半导体基板的清洗方法，其特征在于，所述第二工序的过氧化氢水浓度为0.1％到10％。

21.根据权利要求14所述的半导体基板的清洗方法，其特征在于，所述第一工序的含有臭氧的超纯水中的臭氧浓度为2ppm到50ppm的范围。

22.根据权利要求14所述的半导体基板的清洗方法，其特征在于，所述第三工序的2-丙醇浓度为30％到50％。