[发明专利]薄膜光伏器件和有关的制造方法有效
| 申请号： | 200980112289.3 | 申请日： | 2009-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN101990713A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 艾伦·钦;梅吉德·凯沙瓦兹 | 申请（专利权）人： | 尼坦能源公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王国祥 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 这里描述了薄膜光伏器件和有关的制造方法。在一个实施方式中，光伏器件包括：(1)结构化基底，其包括结构特征的阵列；(2)第一电极层，其布置成相邻于结构化基底并被成形以便实质上符合结构特征的阵列；(3)活性层，其布置成相邻于第一电极层并被成形以便实质上符合第一电极层，活性层包括一组光敏材料；以及(4)第二电极层，其布置成相邻于活性层并被成形为使得第一电极层和第二电极层具有互锁配置。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 器件 有关 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光伏器件，包括：结构化基底，其包括结构特征的阵列；第一电极层，其布置成相邻于所述结构化基底并被成形以便实质上符合所述结构特征的阵列；活性层，其布置成相邻于所述第一电极层并被成形以便实质上符合所述第一电极层，所述活性层包括一组光敏材料；以及第二电极层，其布置成相邻于所述活性层并被成形为使得所述第一电极层和所述第二电极层具有互锁配置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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