[发明专利]薄膜光伏器件和有关的制造方法

权利要求书

1.一种光伏器件，包括：

结构化基底，其包括结构特征的阵列；

第一电极层，其布置成相邻于所述结构化基底并被成形以便实质上符合所述结构特征的阵列；

活性层，其布置成相邻于所述第一电极层并被成形以便实质上符合所述第一电极层，所述活性层包括一组光敏材料；以及

第二电极层，其布置成相邻于所述活性层并被成形为使得所述第一电极层和所述第二电极层具有互锁配置。

2.如权利要求1所述的光伏器件，其中所述结构特征的阵列中的至少一个结构特征的横向尺寸在100nm到1μm的范围内。

3.如权利要求1所述的光伏器件，其中所述结构特征的阵列中的至少一个结构特征的纵向尺寸在1μm到10μm的范围内。

4.如权利要求1所述的光伏器件，其中所述结构特征的阵列中的至少一个结构特征的形态比在5到100的范围内。

5.如权利要求1所述的光伏器件，其中所述结构特征的阵列中的最接近的邻近结构特征的间隔在500nm到10μm的范围内。

6.如权利要求1所述的光伏器件，其中所述结构特征包括底部基底，且所述结构特征的阵列相应于从所述底部基底延伸的纳米棒的阵列。

7.如权利要求6所述的光伏器件，其中所述纳米棒的阵列包括金属氧化物和金属硫属化物中的至少一种。

8.如权利要求6所述的光伏器件，其中所述第一电极层包括按照所述纳米棒的阵列成形的突出物的阵列，且所述第二电极层包括与所述突出物的阵列互补的凹槽的阵列。

9.如权利要求1所述的光伏器件，其中所述结构特征的阵列相应于孔隙的阵列。

10.如权利要求9所述的光伏器件，其中所述第一电极层包括按照所述孔隙的阵列成形的凹槽的阵列，且所述第二电极层包括与所述凹槽的阵列互补的突出物的阵列。

11.如权利要求1所述的光伏器件，其中所述第一电极层和所述第二电极层中的至少一个在可见光范围内实质上是透明的。

12.一种光伏器件，包括：

结构化基底；

第一电极层，其布置成相邻于所述结构化基底，所述第一电极层包括按照所述结构化基底成形的一组突出物；

第二电极层，其与所述第一电极层间隔开，所述第二电极层包括与所述第一电极层的所述一组突出物互补的一组凹槽；以及

一组光敏层，其布置在所述第一电极层和所述第二电极层之间。

13.如权利要求12所述的光伏器件，其中所述结构化基底包括底部基底和从所述底部基底延伸的一组纳米棒，且所述第一电极层的所述一组突出物按照所述一组纳米棒成形。

14.如权利要求12所述的光伏器件，其中所述第一电极层的所述一组突出物中的每个突出物延伸到所述第二电极层的所述一组凹槽中的一个相应凹槽中。

15.如权利要求12所述的光伏器件，其中所述一组光敏层中的相邻层之间的界面相应于折叠结，且所述折叠结按照所述第一电极层和所述第二电极层之间的空间成形。

16.如权利要求12所述的光伏器件，其中所述一组光敏层中的至少一层包括非晶硅并具有在50nm到250nm的范围内的厚度。

17.一种光伏器件，包括：

结构化基底；

第一电极层，其布置成相邻于所述结构化基底，所述第一电极层包括按照所述结构化基底成形的一组凹槽；

第二电极层，其与所述第一电极层间隔开，所述第二电极层包括与所述第一电极层的所述一组凹槽互补的一组突出物；以及

一组光敏层，其布置在所述第一电极层和所述第二电极层之间。

18.如权利要求17所述的光伏器件，其中所述结构特征包括一组孔隙，且所述第一电极层的所述一组凹槽按照所述一组孔隙成形。

19.如权利要求17所述的光伏器件，其中所述第二电极层的所述一组突出物中的每个突出物延伸到所述第一电极层的所述一组凹槽中的一个相应凹槽中。

20.如权利要求17所述的光伏器件，还包括布置在所述第一电极层和所述第二电极层之间的导电层。