[发明专利]太阳能电池的基板和其生产方法无效

专利信息
申请号: 200980112055.9 申请日: 2009-03-04
公开(公告)号: CN102037156A 公开(公告)日: 2011-04-27
发明(设计)人: 安杰尔·桑贾乔 申请(专利权)人: SRI国际公司
主分类号: C23C16/24 分类号: C23C16/24;C23C16/448
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;钟强
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明的多个方面包括用于在基板上沉积硅的方法。在某些实施例中,所述方法包括以足以将所述硅沉积在所述基板上的方式来将包含硅的基板暴露于卤代硅烷。在某些实施例中,所述方法包括提供基板、一或多个气体源以及反应容器,所述反应容器与所述基板和所述一或多个气体源流体连通。在某些实施例中,所述基板是可经受纯化法来处理的低级或冶金级硅。在某些实施例中,反应容器是包括移动床(诸如,包含硅的流化床)的粒子床反应容器,并且所述气体包括卤化物。
搜索关键词: 太阳能电池 生产 方法
【主权项】:
一种用于在基板表面上沉积硅(Si)的方法,所述方法包含以下步骤:(a)提供基板,其中所述基板包含冶金级硅,将在所述冶金级硅上沉积硅(Si);(b)纯化所述基板的表面;(c)提供一或多个气体源,其中至少一个气体源包含含卤化物的气体;(d)提供包含含硅反应床的反应容器,其中所述含硅反应床处于所述基板与所述一或多个气体源之间;以及(e)在可有效从所述含硅反应床向所述基板以卤代硅烷的形式释放硅以沉积于其上的温度下,将气体从所述一或多个气体源引导入所述含硅反应床中。
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