[发明专利]太阳能电池的基板和其生产方法

权利要求书

1.一种用于在基板表面上沉积硅(Si)的方法，所述方法包含以下步骤：

(a)提供基板，其中所述基板包含冶金级硅，将在所述冶金级硅上沉积硅(Si)；

(b)纯化所述基板的表面；

(c)提供一或多个气体源，其中至少一个气体源包含含卤化物的气体；

(d)提供包含含硅反应床的反应容器，其中所述含硅反应床处于所述基板与所述一或多个气体源之间；以及

(e)在可有效从所述含硅反应床向所述基板以卤代硅烷的形式释放硅以沉积于其上的温度下，将气体从所述一或多个气体源引导入所述含硅反应床中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述基板的所述表面上沉积硅的步骤进一步包含以下两者中的至少一者：化学汽相沉积或化学汽相传输。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述冶金级硅基板包含相对于Si来说为惰性的高温材料。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述基板包含与Si相同或类似的热膨胀系数。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述基板包含所述冶金级硅，所述冶金级硅包含至少一种以下物质：SiO₂、Si₃N₄、SiON₂、LaF₃、CaF₂或其混合物。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述基板包含约10％到约100％的硅。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述基板包含由锭块、晶片、厚片、平板、条带或一或多种硅粒子制造的硅。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述基板是导电的。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述纯化所述基板表面的步骤包含对所述基板实施纯化处理。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述纯化处理包含选自以下处理中的至少一种处理：高级造渣处理、将所述表面暴露于热力学槽、氧化所述表面、刻蚀或选择性蒸发。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述纯化处理包含所述高级造渣处理，其导致在所述基板上产生大体上纯化的表面。

12.根据权利要求11所述的方法，其进一步包含以下步骤：在所述基板的所述大体上纯化的表面上产生扩散障碍。

13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包含以下步骤：在所述基板的所述表面上进行硅的所述沉积之前，打开在所述表面上的所述扩散障碍中的通孔。

14.根据权利要求10所述的方法，其中所述纯化处理导致杂质浓度降低，以使得所述基板的所述表面的纯度为约98.5％到约99.999％。

15.根据权利要求9所述的方法，其中所述纯化处理在约1200℃到约1420℃的温度范围下进行。

16.根据权利要求1所述的方法，其中所述含卤化物的气体包含选自至少一种以下卤素的卤化物：氯、溴、氟或碘。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述含卤化物的气体进一步包含硅烷。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述气体包含至少一种以下物质：氯硅烷、溴硅烷、氟硅烷或碘硅烷。

19.根据权利要求1所述的方法，其中所述含硅反应床包含至少一种以下的床：固定床、移动床、流体床、振动床、瀑布床或旋转床。

20.根据权利要求19所述的方法，其中所述含硅反应床中的所述硅包含硅粉、硅固态片、硅晶片、硅多孔体或硅块。

21.根据权利要求20所述的方法，其中所述含硅反应床包含流化床，并且所述流化床中的所述硅包含硅粉，所述硅粉包含硅粒子。

22.根据权利要求21所述的方法，其中所述气体在所述流化床中接触所述硅，从而在所述流化床中刻蚀所述硅。

23.根据权利要求22所述的方法，其中所述刻蚀导致气相的硅烷的活性增加。

24.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含以下步骤：将所述基板暴露于一或多种掺杂剂。