[发明专利]具有反射层的光电子半导体芯片有效
| 申请号： | 200980108273.5 | 申请日： | 2009-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101965649A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 托尼·阿尔布雷希特;克里斯蒂安·艾兴格;安德烈亚斯·魏玛;克斯廷·内韦林;安娜·卡什普扎克-扎布洛茨卡 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李德山;许伟群 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提出了一种光电子半导体芯片，具有：第一接触部位(1)和第二接触部位(2)；反射层(3)，其直接导电地连接到第二接触部位上，其中反射层(3)包含易于迁移的金属；并且反射层设置为使得对于该金属可以形成在第二接触部位和第一接触部位之间的迁移路径(4)，其中在半导体芯片上设置有装置(6)，其在半导体芯片的工作中形成抵抗金属迁移的电场。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 反射层 光电子 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
一种光电子半导体芯片，具有：‑半导体本体(10)，在该半导体本体的上侧(10a)上设置有第一接触部位(1)而在该半导体本体的下侧(10b)上设置有第二接触部位(2)，‑反射层(3)，其与半导体本体(10)直接接触并且直接导电地连接到第二接触部位(2)上，其中反射层(3)包含易于迁移的金属，‑芯片侧腹(11)，其在半导体本体(10)的上侧(10a)和下侧(10b)之间延伸，其中在芯片侧腹(11)上设置有导电材料(5)，该导电材料与第二接触部位(2)直接导电连接。
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