[发明专利]具有反射层的光电子半导体芯片

权利要求书

1.一种光电子半导体芯片，具有：

-半导体本体(10)，在该半导体本体的上侧(10a)上设置有第一接触部位(1)而在该半导体本体的下侧(10b)上设置有第二接触部位(2)，

-反射层(3)，其与半导体本体(10)直接接触并且直接导电地连接到第二接触部位(2)上，其中反射层(3)包含易于迁移的金属，

-芯片侧腹(11)，其在半导体本体(10)的上侧(10a)和下侧(10b)之间延伸，其中在芯片侧腹(11)上设置有导电材料(5)，该导电材料与第二接触部位(2)直接导电连接。

2.根据上述权利要求所述的光电子半导体芯片，其中围绕第一接触部位(1)从半导体本体(10)的上侧(10a)将沟(8)结构化到半导体本体(10)中。

3.根据上一权利要求所述的光电子半导体芯片，其中沟(8)将半导体芯片的有源区(9)分开。

4.根据上一权利要求所述的光电子半导体芯片，其中沟(8)延伸直至反射层(3)。

5.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体芯片，其中在芯片侧腹(11)和导电材料(5)之间设置有电绝缘材料(7)，该电绝缘材料防止通过导电材料(5)接触半导体本体(10)。

6.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体芯片，其中

-在半导体芯片的工作中第一接触部位(1)处于第一电势(U1)上，以及

-第二接触部位(2)、反射层(3)和导电材料(5)处于共同的第二电势(U2)上，其中

-第一电势(U1)与第二电势(U2)不同。

7.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体芯片，其中反射层(3)包含银或者由银构成。

8.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体芯片，其中反射层(3)被结构化为使得半导体本体(10)的下侧(10b)在第一接触部位(1)至下侧(10b)上的投影(13)的区域中不含反射层(3)。

9.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体芯片，其中该半导体芯片以薄膜结构方式实施。

10.根据上一权利要求所述的光电子半导体芯片，其中生长衬底从外延生长的半导体本体去除，并且半导体本体借助第二接触部位(2)固定在支承体(14)上。

11.一种光电子半导体芯片，具有：

-第一接触部位(1)和第二接触部位(2)，

-反射层(3)，其直接导电地连接到第二接触部位上，其中

-反射层(3)包含易于迁移的金属，并且

-反射层设置为使得对于该金属可以形成在第二接触部位和第一接触部位之间的迁移路径(4)，

其中

-在半导体芯片上设置有装置(6)，其在半导体芯片的工作中形成抵抗金属迁移的电场。

12.根据上一权利要求所述的光电子半导体芯片，其中

-装置(6)借助导电材料(5)形成，该导电材料在第一接触部位(1)和第二接触部位(2)之间延伸，并且

-导电材料(5)与第二接触部位(2)直接导电连接。

13.根据上一权利要求所述的光电子半导体芯片，其中围绕第一接触部位(1)从半导体芯片的半导体本体(10)的上侧(10a)将沟(8)结构化到半导体本体(10)中。

14.根据上一权利要求所述的光电子半导体芯片，其中沟(8)将半导体芯片的有源区(9)分开。

15.根据上一权利要求所述的光电子半导体芯片，其中沟(8)延伸直至反射层(3)。