[发明专利]应用沟槽式瞬时电压抑制器的分布式低通滤波器无效
| 申请号： | 200980106999.5 | 申请日： | 2009-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN101999171A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 马督儿·博德 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/80 | 分类号： | H01L29/80 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;徐雯琼 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明是公开一种应用沟槽式瞬时电压抑制器的分散式低通滤波器，其包含金属氧化半导体(MOS)沟槽开设于半导体基板并填满介电物质以形成分布式电感电容网络的电容。此外，其更包含一瞬时电压抑制器(TVS)电路集成至滤波电路作为一低通滤波器，且瞬时电压抑制器包含一双极型晶体管，此双极型晶体管是经由设置于该半导体衬底的一二极管触发。另外，本发明是于半导体衬底的一上表面设置若干个金属绕组作为若干个电感，电感是与金属氧化半导体MOS沟槽形成电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 应用 沟槽 瞬时 电压 抑制器 分布式 滤波器 | ||
【主权项】：
一种电子电路，其特征在于，其包含：一滤波电路，包含分布式电感电容(LC)网络，其构成是为若干个金属氧化半导体(MOS)沟槽开设于一半导体衬底，且填满绝缘物质以作为该分布式电感电容LC网络的若干个电容。
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