[发明专利]应用沟槽式瞬时电压抑制器的分布式低通滤波器

权利要求书

1.一种电子电路，其特征在于，其包含：

一滤波电路，包含分布式电感电容(LC)网络，其构成是为若干个金属氧化半导体(MOS)沟槽开设于一半导体衬底，且填满绝缘物质以作为该分布式电感电容LC网络的若干个电容。

2.如权利要求1所述的电子电路，其特征在于，其还包含：

一瞬时电压抑制器(TVS)电路，集成了该滤波电路以作为一低通滤波器，其中该瞬时电压抑制器包含一双极型晶体管，该双极型晶体管是经由设置于该半导体衬底的一二极管触发。

3.如权利要求1所述的电子电路，其特征在于，其中该分布式电感电容LC网络进一步包含若干个金属绕组作为若干个电感，该电感是设置于该半导体衬底的一上表面，且与该金属氧化半导体MOS沟槽形成电性连接。

4.如权利要求1所述的电子电路，其特征在于，其还包含：

一瞬时电压抑制器(TVS)电路，集成了该滤波电路以作为一低通滤波器，其中该瞬时电压抑制器包含一双极型晶体管；以及

该分布式电感电容LC网络更包含若干个金属绕组作为若干个电感，该电感设置于该半导体衬底的一上表面，并与该金属氧化半导体MOS沟槽形成电性连接，且该双极型晶体管具有一电极连接至该金属绕组以作为该瞬时电压抑制器TVS电路的一输入/输出端。

5.如权利要求1所述的电子电路，其特征在于，其中该金属氧化半导体MOS沟槽的侧壁填塞掺杂多晶硅，且该金属氧化半导体MOS沟槽填塞一介电层。

6.如权利要求1所述的电子电路，其特征在于，其还包含：

一瞬时电压抑制器(TVS)电路，集成了该滤波电路，其中该瞬时电压抑制器TVS电路包含一双极型晶体管，该双极型晶体管包含一N型掺杂区域作为一集极，该N型掺杂区域被一P型阱包围，一N型衬底支撑该P型阱，且该P型阱具有一下表面以作为该双极型晶体管的发射极；

该瞬时电压抑制器TVS电路更包含一齐纳二极管，该齐纳二极管是构成于一第二掺杂区域与该P型阱相邻接，其是将触发该双极型晶体管以实行一瞬时电压抑制器TVS功能；

该分布式电感电容LC网络更包含若干个金属绕组设置于该半导体衬底的一上表面，并与该金属氧化半导体MOS沟槽电性连接作为该分布式电感电容LC网络的若干个电感，且该双极型晶体管具有一电极连接至该金属绕组以作为该瞬时电压抑制器TVS电路的一输入/输出端；以及该齐纳二极管的该第二掺杂区域是连接该金属绕组作为一阴极。

7.如权利要求1所述的电子电路，其特征在于，其中该金属氧化半导体MOS沟槽侧壁填满掺杂多晶硅，且该金属氧化半导体MOS沟槽填塞该介电层，该介电层包含一氧化硅层。

8.如权利要求1所述的电子电路，其特征在于，其中该金属氧化半导体MOS沟槽是平行且电性连接的，从而作为该分布式电感电容LC网络的电容。

9.如权利要求1所述的电子电路，其特征在于，其中该金属氧化半导体MOS沟槽是平行且电性连接的，从而作为该分布式电感电容LC网络并联的电容，其深度是介于2微米至7微米之间，且两相邻该金属氧化半导体MOS沟槽之间距离介于0.5微米至3微米之间。

10.如权利要求1所述的电子电路，其特征在于，其中该分布式电感电容LC网络包含若干个金属绕组，该金属绕组是设置于该半导体衬底的一上表面，且建构成为一环状绕组，并将电性连接该金属氧化半导体MOS沟槽作为该分布式电感电容LC网络的若干个电感。

11.如权利要求1所述的电子电路，其特征在于，其中该分布式电感电容LC网络包含若干个金属绕组，该金属绕组是设置于该半导体衬底的一上表面，且建构成为一六角形状绕组，并将电性连接该金属氧化半导体MOS沟槽作为该分布式电感电容LC网络的若干个电感。

12.如权利要求1所述的电子电路，其特征在于，其中该分布式电感电容LC网络包含若干个金属绕组，该金属绕组是设置于该半导体衬底的一上表面，且建构成为一方形状绕组，并将电性连接该金属氧化半导体MOS沟槽作为该分布式电感电容LC网络的若干个电感。