[发明专利]微器件制造无效
| 申请号： | 200980106329.3 | 申请日： | 2009-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN101960577A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 布赖恩·卡尔;雷克斯·尼尔森;贾森·B·希尔 | 申请（专利权）人： | 得克萨斯州大学系统董事会 |
| 主分类号： | H01L21/44 | 分类号： | H01L21/44 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 康建峰;陈炜 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 根据某些实施例，系统包括能量源、至少一个共轭掩模、放大器件以及制造材料，其中所述至少一个共轭掩模被布置在所述能量源和所述放大器件之间，并且其中所述制造材料被布置成对所述放大器件适用。根据其它实施例，提供了采用所述系统的方法和合成物。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 制造 | ||
【主权项】：
一种系统，包括能量源、至少一个共轭掩模、放大器件以及制造材料，其中所述至少一个共轭掩模被布置在所述能量源和所述放大器件之间，并且其中所述制造材料被布置成对所述放大器件适用。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
