[发明专利]微器件制造无效
申请号: | 200980106329.3 | 申请日: | 2009-01-02 |
公开(公告)号: | CN101960577A | 公开(公告)日: | 2011-01-26 |
发明(设计)人: | 布赖恩·卡尔;雷克斯·尼尔森;贾森·B·希尔 | 申请(专利权)人: | 得克萨斯州大学系统董事会 |
主分类号: | H01L21/44 | 分类号: | H01L21/44 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 康建峰;陈炜 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 器件 制造 | ||
1.一种系统,包括能量源、至少一个共轭掩模、放大器件以及制造材料,其中所述至少一个共轭掩模被布置在所述能量源和所述放大器件之间,并且其中所述制造材料被布置成对所述放大器件适用。
2.根据权利要求1的系统,其中所述能量源是激光器。
3.根据权利要求1的系统,其中所述至少一个共轭掩模是静态掩模。
4.根据权利要求1的系统,其中所述至少一个共轭掩模是动态掩模。
5.根据权利要求1的系统,其中所述至少一个共轭掩模是反射式的或透射式的或部分反射部分透射式的。
6.根据权利要求1的系统,其中所述至少一个共轭掩模包括较大透射的区域和较小透射的区域。
7.根据权利要求1的系统,其中所述至少一个共轭掩模是数字微镜器件。
8.根据权利要求1的系统,其中所述至少一个共轭掩模是液晶显示器。
9.根据权利要求1的系统,还包括计算机。
10.根据权利要求1的系统,其中所述放大器件包括透镜。
11.根据权利要求1的系统,其中所述放大器件包括显微镜物镜。
12.根据权利要求1的系统,其中所述制造材料的至少一部分选自于生物材料、光固化树脂、弹性体、无机-有机杂化聚合物、正性光刻胶、负性光刻胶、金属以及电活性催化材料中的一种或多种。
13.根据权利要求1的系统,还包括射束扫描器件。
14.根据权利要求1的系统,还包括掩模平移器件。
15.根据权利要求1的系统,还包括制造材料平移器件。
16.一种方法,包括:提供能量源、至少一个共轭掩模、放大器件以及制造材料,其中所述至少一个共轭掩模被布置在所述能量源和所述放大器件之间,并且其中所述制造材料被布置成适用于所述放大;以及使所述制造材料暴露于从所述能量源发出的能量。
17.根据权利要求16的方法,其中所述能量源是激光器。
18.根据权利要求16的方法,其中所述至少一个共轭掩模是静态掩模。
19.根据权利要求16的方法,其中所述至少一个共轭掩模是动态掩模。
20.根据权利要求16的方法,其中所述至少一个共轭掩模是反射式的或透射式的或部分反射部分透射式的。
21.根据权利要求16的方法,其中所述至少一个共轭掩模包括较大透射的区域和较小透射的区域。
22.根据权利要求16的方法,其中所述至少一个共轭掩模是数字微镜器件。
23.根据权利要求16的方法,其中所述至少一个共轭掩模是液晶显示器。
24.根据权利要求16的方法,其中所述放大器件包括透镜。
25.根据权利要求16的方法,其中所述放大器件包括显微镜物镜。
26.根据权利要求16的方法,其中所述制造材料的至少一部分选自于生物材料、光固化树脂、弹性体、无机-有机杂化聚合物、正性光刻胶、负性光刻胶、金属以及电活性催化材料中的一种或多种。
27.根据权利要求16的方法,其中所述制造材料包括一个或多个细胞。
28.根据权利要求16的方法,其中来自所述能量源的能量被扫描。
29.根据权利要求16的方法,其中在制造期间所述至少一个共轭掩模能平移或转动或既平移又转动。
30.根据权利要求16的方法,其中在制造期间制造平面能平移或转动或既平移又转动。
31.一种方法,包括:提供能量源、至少一个共轭掩模、放大器件以及包括一个或多个细胞的制造材料,其中所述共轭掩模被布置在所述能量源和所述放大器件之间,并且其中所述制造材料被布置成适用于所述放大;使所述制造材料暴露于从所述能量源发出的能量以形成图案化的制造材料;以及在所述图案化的制造材料内培养所述一个或多个细胞。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于得克萨斯州大学系统董事会,未经得克萨斯州大学系统董事会许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980106329.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:溢流染色机
- 下一篇:机顶盒、收视率实时统计方法及系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造