[发明专利]具有MOSFET熔丝元件的集成电路有效
| 申请号： | 200980106321.7 | 申请日： | 2009-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN101965637A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 苏格·杰·埃姆;桑宏·帕克;布恩·悠格·安格 | 申请（专利权）人： | 吉林克斯公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L27/10;G11C17/16 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | MOS熔丝(200)的至少一个MOS参数经特征化以提供至少一个MOS参数参考值。随后，通过将编程信号施加于熔丝端子(204、206)以使得编程电流流过熔丝链(202)来对所述MOS熔丝(200)进行编程。测量熔丝电阻以提供与第一逻辑值相关联的测得熔丝电阻。测量经编程MOS熔丝的MOS参数以提供测得MOS参数值。将测得MOS参数值与所述参考MOS参数值进行比较以确定所述MOS熔丝的第二逻辑值，且基于所述比较输出位值。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 mosfet 元件 集成电路 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物半导体(MOS)熔丝，其包括：半导体衬底；所述半导体衬底中的阱；所述阱中的阱分接点；所述阱中的作用区；熔丝元件，其具有阳极、阴极和在所述阳极与所述阴极之间延伸的熔丝链，至少所述熔丝链形成于所述作用区的一部分上、且由氧化物层与所述作用区分离；漏极区；以及源极区，所述熔丝链分离所述漏极区与所述源极区。
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