[发明专利]双面有机发光二极管(OLED)无效
| 申请号： | 200980105947.6 | 申请日： | 2009-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN101952967A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | S·P·格拉博夫斯基;C·M·戈尔德曼 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;F21K7/00;H05B33/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 谢建云;刘鹏 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种包含透明衬底层(2)的具有层系统的双面发光二极管器件(1)，该层系统特征为包含至少第一发射层(3)和至少第二发射层(4)。 | ||
| 搜索关键词： | 双面 有机 发光二极管 oled | ||
【主权项】：
一种包含透明衬底层(2)的具有层系统的双面发光二极管器件(1)，该层系统特征为包含至少第一发射层(3)和至少第二发射层(4)，其特征在于位于所述衬底层(2)上的该层系列特征为至少包含底部电极层(5)、所述第一发射层(3)、非透明电荷发生层(6)、所述第二发射层(4)以及透明顶部电极层(7)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
