[发明专利]双面有机发光二极管(OLED)无效
| 申请号: | 200980105947.6 | 申请日: | 2009-02-19 |
| 公开(公告)号: | CN101952967A | 公开(公告)日: | 2011-01-19 |
| 发明(设计)人: | S·P·格拉博夫斯基;C·M·戈尔德曼 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;F21K7/00;H05B33/14 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 谢建云;刘鹏 |
| 地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 双面 有机 发光二极管 oled | ||
1.一种包含透明衬底层(2)的具有层系统的双面发光二极管器件(1),该层系统特征为包含至少第一发射层(3)和至少第二发射层(4),其特征在于
位于所述衬底层(2)上的该层系列特征为至少包含底部电极层(5)、所述第一发射层(3)、非透明电荷发生层(6)、所述第二发射层(4)以及透明顶部电极层(7)。
2.根据权利要求1的双面发光二极管器件(1),其特征在于,藉由通过所述透明衬底层(2),所述第一发射层(3)发射第一光谱(8)中的光,其中藉由通过所述透明顶部电极层(7),所述第二发射层(4)发射第二光谱(9)中的光。
3.根据权利要求1或2的双面发光二极管器件(1),其特征在于,所述底部电极层(5)实现为特征为铟锡氧化物(ITO)层的阳极层,以及所述顶部电极层(7)实现为特征为银(Ag)层的阴极层。
4.根据权利要求1至3的双面发光二极管器件(1),其特征在于,所述非透明电荷发生层(6)特征为在与该第一发射层(3)的界面处的n掺杂(10)以及在与该第二发射层(4)的界面处的p掺杂(11)。
5.根据前述权利要求其中一项的双面发光二极管器件(1),其特征在于,所述非透明电荷发生层(6)实现为包含铝(Al)层的中间电极层,其特征为厚度为30nm至200nm,优选为50nm至150nm且最优选为80nm。
6.根据前述权利要求其中一项的双面发光二极管器件(1),其特征在于,该第一发射层(3)和该第二发射层(4)由一电源操作,其中所述第一发射层(3)的电源(12)与所述第二发射层(4)的电源(13)分离。
7.根据权利要求6的双面发光二极管器件(1),其特征在于,所述第一发射层(3)的电源(12)在作为阳极操作的所述底部电极层(5)与作为阴极操作的所述电荷发生层(6)之间实现,其中所述第二发射层(4)的电源(13)在作为阳极操作的所述电荷发生层(6)与作为阴极操作的所述顶部电极层(7)之间实现。
8.根据前述权利要求其中一项的双面发光二极管器件(1),其特征在于,包含硒化锌(ZnSe)层或者硫化锌(ZnS)层的光耦出层实现于所述顶部电极层(7)上,其中所述层特征为厚度约为5nm至200nm,优选为15nm至80nm以及最优选为30nm,或者所述光耦出层包含类似Alq3或者α-NPD的有机层,其特征为厚度为5nm至若干200nm,优选为20nm至80nm。
9.根据前述权利要求其中一项的双面发光二极管器件(1),其特征在于,壳体实现于所述顶部电极层(7)上,所述壳体包含透明玻璃盖或者薄膜封装,该薄膜封装包含一个或者多个厚度约为200nm的氮化硅(SiN)和厚度约为100nm的氧化硅(SiO2)的双层。
10.根据前述权利要求其中一项的双面发光二极管器件(1),其特征在于,多于一个发射层(3,4)应用在所述电荷发生层(6)的两侧上。
11.根据前述权利要求其中一项的双面发光二极管器件(1)用于
标志应用,其中所述器件(1)应用在玻璃门扇上,其包含在所述器件(1)的第一侧上发射的进入颜色以及在所述器件(1)的第二侧上发射的出口颜色,或者用于
类似自照明灯罩的装饰应用。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





