[发明专利]制造具有嵌入金属化的多层衬底的方法无效
| 申请号： | 200980105778.6 | 申请日： | 2009-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101952196A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 吴森焕;王振峰 | 申请（专利权）人： | 新加坡科技研究局 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H05K3/10;H05K3/46 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 一种制造衬底的方法，包括：设置上绝缘层和下绝缘层，其中所述上绝缘层包括入口，所述下绝缘层包括通道，而且所述入口与所述通道流体相通，使非固化材料流经所述入口进入所述通道，以及然后通过对所述非固化材料施加能量固化所述非固化材料，从而在所述通道中形成嵌入金属化。所述衬底可以是微流体通道、电互连或者其他电子设备。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 嵌入 金属化 多层 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种制造衬底的方法，包括：设置上绝缘层和下绝缘层，其中所述上绝缘层包括入口，所述下绝缘层包括通道，而且所述入口与所述通道流体相通；使非固化材料流经所述入口进入所述通道；以及然后通过对所述非固化材料施加能量固化所述非固化材料，从而在所述通道中形成嵌入金属化。
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