[发明专利]制造具有嵌入金属化的多层衬底的方法无效
| 申请号: | 200980105778.6 | 申请日: | 2009-02-16 |
| 公开(公告)号: | CN101952196A | 公开(公告)日: | 2011-01-19 |
| 发明(设计)人: | 吴森焕;王振峰 | 申请(专利权)人: | 新加坡科技研究局 |
| 主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;H05K3/10;H05K3/46 |
| 代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶 |
| 地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 制造 具有 嵌入 金属化 多层 衬底 方法 | ||
1.一种制造衬底的方法,包括:
设置上绝缘层和下绝缘层,其中所述上绝缘层包括入口,所述下绝缘层包括通道,而且所述入口与所述通道流体相通;
使非固化材料流经所述入口进入所述通道;以及然后
通过对所述非固化材料施加能量固化所述非固化材料,从而在所述通道中形成嵌入金属化。
2.如权利要求1所述的方法,包括设置夹于所述上绝缘层和下绝缘层之间的中绝缘层,其中所述中绝缘层包括位于所述入口和所述通道之间并与所述入口和所述通道流体相通的通孔。
3.如权利要求2所述的方法,包括利用热扩散将所述上绝缘层结合到所述中绝缘层,以及利用热扩散将所述中绝缘层结合到所述下绝缘层。
4.如权利要求2所述的方法,包括利用上粘结层将所述上绝缘层结合到所述中绝缘层,以及利用下粘结层将所述中绝缘层结合到所述下绝缘层,所述上粘结层与所述上绝缘层和所述中绝缘层接触并夹在二者之间,所述下粘结层与所述中绝缘层和所述下绝缘层接触并夹在二者之间。
5.如权利要求1所述的方法,包括利用压力注射使所述非固化材料流动。
6.如权利要求1所述的方法,包括利用真空抽吸使所述非固化材料流动。
7.如权利要求1所述的方法,包括使所述非固化材料经过所述通道流入所述上绝缘层的出口。
8.如权利要求1所述的方法,其中所述上绝缘层和所述下绝缘层是塑料。
9.如权利要求1所述的方法,其中所述上绝缘层和所述下绝缘层是陶瓷。
10.如权利要求1所述的方法,其中所述非固化材料是浆料。
11.如权利要求10所述的方法,其中所述浆料是导电环氧浆料。
12.如权利要求10所述的方法,其中所述导电环氧浆料包括银颗粒、金颗粒、铜颗粒、镀银铜颗粒、石墨颗粒,或其组合。
13.如权利要求1所述的方法,其中所述非固化材料是导电油墨。
14.如权利要求13所述的方法,其中所述导电油墨是水基的。
15.如权利要求13所述的方法,其中所述导电油墨包括银颗粒、金颗粒、铜颗粒、镀银铜颗粒,或其组合。
16.如权利要求1所述的方法,其中所述嵌入金属化填充所述通道。
17.如权利要求1所述的方法,其中所述嵌入金属化在所述通道中形成管状体。
18.如权利要求1所述的方法,其中所述衬底是微流体设备。
19.如权利要求1所述的方法,其中所述衬底是电互连。
20.如权利要求1所述的方法,其中所述衬底是EMI屏蔽。
21.一种制造衬底的方法,包括:
设置包括上绝缘层和下绝缘层的绝缘层,其中所述上绝缘层包括入口,所述下绝缘层包括通道,而且所述入口和所述通道彼此流体相通,但不与出口流体相通;
将所述绝缘层置于真空腔室中;
将所述真空腔室抽真空,从而在所述入口和所述腔室内制造真空;然后
使非固化材料在所述真空腔室包含真空时流入所述入口,然后在所述绝缘层保持在所述真空腔室时流经所述入口进入到所述通道,从而使所述非固化材料流入但并不流出所述绝缘层;以及然后
通过对所述非固化材料施加能量固化所述非固化材料,从而在所述通道中形成终端电极。
22.如权利要求21所述的方法,包括当所述真空腔室内的压力保持为所述真空时,使所述非固化材料流经所述入口进入到所述通道。
23.如权利要求21所述的方法,包括当所述真空腔室内的压力由所述真空增加至预定压力时,使所述非固化材料流经所述入口进入到所述通道。
24.如权利要求21所述的方法,其中所述绝缘层为所述上绝缘层和所述下绝缘层。
25.如权利要求21所述的方法,其中所述绝缘层包括所述上绝缘层、所述下绝缘层以及夹于所述上绝缘层和所述下绝缘层之间的中绝缘层,而且所述中绝缘层包括位于所述入口和所述通道之间并与所述入口和所述通道流体相通的通孔。
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