[发明专利]化学汽相沉积设备有效
| 申请号: | 200980103376.2 | 申请日: | 2009-01-13 |
| 公开(公告)号: | CN101925980A | 公开(公告)日: | 2010-12-22 |
| 发明(设计)人: | 布赖恩·H·伯罗斯;罗纳德·史蒂文斯;雅各布·格雷森;乔舒亚·J·波德斯塔;桑迪普·尼杰霍安;洛里·D·华盛顿;亚历山大·塔姆;萨姆埃德霍·阿卡赖亚 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 本发明的实施例一般涉及用于在基板上进行化学汽相沉积(CVD)的方法及设备,特定的是,涉及用于金属有机化学汽相沉积的工艺腔室及部件。该设备包括:腔室主体,界定工艺容积;喷洒头,位于第一平面,并界定该工艺容积的顶端部分;承载板,在第二平面而延伸跨越该工艺容积,并在该喷洒头与该基座板之间形成上方工艺容积;透明材料,位于第三平面,并界定该工艺容积的底端部分,而在该承载板与该透明材料之间形成下方工艺容积;以及复数个灯,在该透明材料下方形成一或多个区域。该设备提供均一的前驱物流动及混合,并同时维持较大型基板上方的均一温度,因而使生产率有相应的提高。 | ||
| 搜索关键词: | 化学 沉积 设备 | ||
【主权项】:
一种用于金属有机化学汽相沉积的基板处理设备,包括:腔室主体,形成工艺容积;喷洒头,位于第一平面,并界定该工艺容积的顶端部分;基板承载板,位于第二平面,该第二平面在该第一平面的下方,该承载板延伸跨越该工艺容积,并在该喷洒头与该基板承载板之间界定上方工艺容积;透明材料,位于第三平面,并界定该工艺容积的底端部分,在该承载板与该透明材料之间形成下方工艺容积;以及复数个灯,在该透明材料下方形成一或多个区域,且适于将辐射热导引朝向该承载板以产生一或多个辐射加热区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





