[发明专利]化学汽相沉积设备

权利要求书

1.一种用于金属有机化学汽相沉积的基板处理设备，包括：

腔室主体，形成工艺容积；

喷洒头，位于第一平面，并界定该工艺容积的顶端部分；

基板承载板，位于第二平面，该第二平面在该第一平面的下方，该承载板延伸跨越该工艺容积，并在该喷洒头与该基板承载板之间界定上方工艺容积；

透明材料，位于第三平面，并界定该工艺容积的底端部分，在该承载板与该透明材料之间形成下方工艺容积；以及

复数个灯，在该透明材料下方形成一或多个区域，且适于将辐射热导引朝向该承载板以产生一或多个辐射加热区域。

2.如权利要求1所述的设备，其中该一或多个区域包括内部区域、中央区域及外部区域。

3.如权利要求2所述的设备，其中各个该些区域形成该些灯的同中心的排列，且该外部区域位于该中央区域上方。

4.如权利要求1所述的设备，其中该些灯的该一或多个区域包括一或多个反射器，该一或多个反射器适于将辐射热导引朝向该基板承载板。

5.如权利要求4所述的设备，其中该一或多个反射器具有金涂层。

6.如权利要求1所述的设备，还包括一或多个高温计以监控该一或多个辐射加热区域的每个，由此调整供应至各个灯区域的每个的电力，并维持跨越该基板承载板的预定温度分布，其中该一或多个高温计是通过使惰性气体流动于该些高温计的周围而净化的，以预防在该些高温计上发生沉积及凝结。

7.如权利要求1所述的设备，其中该基板承载板具有用于容设多个基板的多个凹部。

8.如权利要求1所述的设备，其中该基板承载板由基座板所支撑，该基座板具有适于支托该基板承载板的圆形凹部。

9.如权利要求1所述的设备，还包括反射率监控器，该反射率监控器与该腔室主体耦接。

10.如权利要求1所述的设备，还包括气体输送系统，该气体输送系统具有气体源以供应清洁气体、蚀刻气体及/或等离子体至该喷洒头。

11.如权利要求1所述的设备，其中气体输送系统包括位于气体源的下游的气体监控器，气体监控器提供系统内的前驱物气体浓度的直接量测。

12.一种用于金属有机化学汽相沉积的基板处理设备，包括：

腔室主体，形成工艺容积；

喷洒头，界定该工艺容积的顶端部分；

基板承载板，延伸跨越该工艺容积，并界定该工艺容积的底端部分；以及

光屏蔽，围绕该基板承载板，其中该光屏蔽将辐射热导引朝向该基板承载板。

13.如权利要求12所述的设备，还包括复数个灯，该复数个灯在该基板承载板下方形成一或多个同中心灯区域，且该一或多个同中心灯区域适于将辐射热导引朝向该基板承载板，以产生一或多个辐射加热区域。

14.如权利要求13所述的设备，还包括：

排气环，围绕该光屏蔽的周围；

排气圆柱，与该排气环耦接，其中该排气圆柱具有以等间隔设置的复数个狭缝；以及

环状排气通道，围绕该排气圆柱的周围。

15.如权利要求12所述的设备，其中该基板承载板具有多个用于容设一或多个基板的凹部。