[发明专利]基板支撑装置及具有该支撑装置的基板处理装置无效
| 申请号： | 200980103196.4 | 申请日： | 2009-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN101919029A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 李范述;蔡济浩;李盛玟 | 申请（专利权）人： | 高美科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人： | 段迎春 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种用于支撑基板的装置，包括对所述基板进行支撑的上板；设在所述上板之下的下板；位于所述上板与所述下板之间的绝缘部件；电极，其位于所述上板与所述绝缘部件之间以将等离子体指向由所述上板支撑之基板上；及加热器，其位于所述绝缘部件与所述下板以加热由所述上板支撑之基板。所述绝缘部件包括体积电阻在约400℃～约800℃的温度下大于等于约106Ω-cm的材料，以减小所述加热器与所述电极之间的泄漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 支撑 装置 具有 处理 | ||
【主权项】：
一种用于支撑基板的装置，包括：对所述基板进行支撑的上板；设在所述上板之下的下板；位于所述上板与所述下板之间的绝缘部件；电极，其位于所述上板与所述绝缘部件之间以将等离子体导向由所述上板支撑之基板上；及加热器，其位于所述绝缘部件与所述下板之间以加热由所述上板支撑之基板，其中所述绝缘部件包括体积电阻在约400℃～约800℃的温度下大于等于约106Ω cm的材料，以减小所述加热器与所述电极之间的泄漏电流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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