[发明专利]使用非接触印刷工艺在半导体衬底中形成掺杂区域的方法以及使用非接触印刷来形成该掺杂区域的含掺杂剂的墨水有效
| 申请号： | 200980102659.5 | 申请日： | 2009-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN101965628A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | R·Y·梁;D·周;W·范 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘锴;林毅斌 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种使用非接触印刷工艺在半导体衬底中形成掺杂区域的方法以及一种用于使用非接触印刷工艺形成该掺杂区域的含掺杂剂墨水。在一个示例性实施方案中，提供一种在半导体衬底中形成掺杂区域的方法。该方法包括提供包含既定导电类型掺杂剂的墨水，使用非接触印刷工艺将墨水施加至半导体衬底，以及使半导体衬底经受热处理，以使得既定导电类型掺杂剂扩散进入半导体衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 接触 印刷 工艺 半导体 衬底 形成 掺杂 区域 方法 以及 墨水 | ||
【主权项】：
一种用于在半导体衬底中形成掺杂区域的方法，该方法包括以下步骤：提供包含既定导电类型掺杂剂的墨水；使用非接触印刷工艺将墨水施加至所述半导体衬底；以及使所述半导体衬底经受热处理，以使得既定导电类型掺杂剂扩散进入所述半导体衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
