[发明专利]使用非接触印刷工艺在半导体衬底中形成掺杂区域的方法以及使用非接触印刷来形成该掺杂区域的含掺杂剂的墨水

权利要求书

1.一种用于在半导体衬底中形成掺杂区域的方法，该方法包括以下步骤：

提供包含既定导电类型掺杂剂的墨水；

使用非接触印刷工艺将墨水施加至所述半导体衬底；以及

使所述半导体衬底经受热处理，以使得既定导电类型掺杂剂扩散进入所述半导体衬底。

2.根据权利要求1的方法，其中，提供墨水的步骤包括提供包含掺杂剂硅酸盐载体、扩散最小化添加剂以及溶剂的墨水的步骤，所述扩散最小化添加剂导致墨水的扩散因子处在从约1.5至约6的范围内。

3.根据权利要求2的方法，其中，提供墨水的步骤包括提供包含掺杂剂硅酸盐载体、溶剂和扩散最小化添加剂的墨水的步骤，所述扩散最小化添加剂包括选自异硬脂酸、聚环氧丙烷、乙烯基甲基硅氧烷-二甲基硅氧烷共聚物、聚醚改性聚硅氧烷、有机改性聚硅氧烷及其组合构成的组的添加剂。

4.根据权利要求1的方法，其中，所述提供墨水的步骤包括提供包含被封端的掺杂剂硅酸盐载体和溶剂的墨水的步骤。

5.根据权利要求1的方法，其中，将墨水施加至半导体衬底的步骤包括以具有至少一个小于约200μm尺度的特征的图案将墨水施加至半导体衬底。

6.一种包含掺杂剂的墨水，包括：

掺杂剂硅酸盐载体；以及

溶剂，

其中，所述包含掺杂剂的墨水具有范围从约1.5至约6的扩散因子。

7.根据权利要求6的包含掺杂剂的墨水，进一步包括扩散最小化添加剂，其包括选自异硬脂酸、聚环氧丙烷、乙烯基甲基硅氧烷-二甲基硅氧烷共聚物、聚醚改性聚硅氧烷、有机改性聚硅氧烷及其组合构成的组的添加剂。

8.根据权利要求6的包含掺杂剂的墨水，进一步包括，具有沸点范围在约50℃至约250℃的额外溶剂。

9.根据权利要求6的包含掺杂剂的墨水，其中，所述掺杂剂硅酸盐载体被封端烷基甲硅烷基基团、封端芳基甲硅烷基基团或者封端烷基甲硅烷基与封端芳基甲硅烷基基团的组合所封端。

10.根据权利要求9的包含掺杂剂的墨水，其中，被封端的掺杂剂硅酸盐载体的一种或多种封端基团的重量百分比至多为所述被封端的掺杂剂硅酸盐载体的约10％。

11.一种包含掺杂剂的墨水，包括：

被封端的掺杂剂硅酸盐载体；以及

溶剂。

12.根据权利要求11的包含掺杂剂的墨水，进一步包括功能性添加剂，该功能型添加剂选自分散剂、表面活性剂、聚合抑制剂、润湿剂、消泡剂、去污剂以及其它表面张力调节剂、阻燃剂、颜料、增塑剂、增稠剂、粘度调节剂、流变调节剂及其混合物。

13.根据权利要求11的包含掺杂剂的墨水，进一步包括，具有范围从约50℃至约250℃沸点的额外溶剂。

14.根据权利要求11的包含掺杂剂的墨水，其中，被封端的掺杂剂硅酸盐载体被封端烷基甲硅烷基基团、封端芳基甲硅烷基基团或是烷基甲硅烷基与封端芳基甲硅烷基基团的组合所封端。

15.根据权利要求14的包含掺杂剂的墨水，其中，被封端的掺杂剂硅酸盐载体的一种或多种封端基团的重量百分比至多为所述被封端的掺杂剂硅酸盐载体的约10％。