[发明专利]具有渐变组成的第Ⅲ族氮化物太阳能电池无效
| 申请号: | 200980101787.8 | 申请日: | 2009-01-06 |
| 公开(公告)号: | CN101911312A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
| 发明(设计)人: | 瓦迪斯瓦夫·瓦卢基维兹;乔尔·W·阿格;庆·曼·友 | 申请(专利权)人: | 罗斯特里特实验室能源公司 |
| 主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王旭 |
| 地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 本发明提供了一种用于太阳能电池中的组成渐变的第III族氮化物合金。在一个或多个实施方案中,形成InGaN或InAlN的合金,其中In组成在合金的两个区域之间是渐变的。所述组成渐变的第III族氮化物合金可以用于多种类型的太阳能电池结构中,包括具有串联太阳能电池特征的单P-N结太阳能电池、多结串联太阳能电池、具有低电阻隧道结的串联太阳能电池和其它的太阳能电池结构。该组成渐变的第III族氮化物合金拥有具有非常大调谐范围的直接带隙,例如对于InGaN从约0.7延伸至3.4eV,而对于InAlN从约0.7延伸至6.2eV。 | ||
| 搜索关键词: | 具有 渐变 组成 氮化物 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,其包括:组成渐变的第III族氮化物合金层;光电材料层;在所述组成渐变的第III族氮化物合金层和所述光电层之间的单P N结;和与所述单p n结关联的多个用于电荷分离的耗尽区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





