[发明专利]具有渐变组成的第Ⅲ族氮化物太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池，其包括：

组成渐变的第III族氮化物合金层；

光电材料层；

在所述组成渐变的第III族氮化物合金层和所述光电层之间的单P-N结；和

与所述单p-n结关联的多个用于电荷分离的耗尽区。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述第III族氮化物合金层包含In_xGa_1-xN，其中0.0≤x≤1.0，所述In_xGa_1-xN在所述第III族氮化物合金层的两个部分之间发生在两个x值之间的渐变。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中所述第III族氮化物合金层包含In_xGa_1-xN，其中0.25≤x≤0.45。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述第III族氮化物合金层包含In_xAl_1-xN，其中0.0≤x≤1.0，所述In_xAl_1-xN在所述第III族氮化物合金层的两个部分之间发生在两个x值之间的渐变。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其中所述第III族氮化物合金层包含In_xAl_1-xN，其中0.6≤x≤0.8。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述光电材料包括硅材料。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述光电材料包括组成渐变的第III族氮化物合金。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其还包括：

连接到所述第III族氮化物合金层的第一电接触；

在所述光电材料层上形成的n+材料层；和

连接到所述n+材料层的第二电接触。

9.一种太阳能电池，其包括：

具有第一带隙的第III族氮化物合金的第一结；和

具有第二带隙的第III族氮化物合金的第二结，所述第二结电连接到所述第一结，

其中所述第一结和第二结中的至少一个包含组成渐变的第III族氮化物合金。

10.一种半导体结构体，其包括：

包含第一材料的第一光电池；和

包含第二材料的第二光电池，所述第二光电池与所述第一光电池串联连接，

其中所述第一材料和所述第二材料中的至少一个包含组成渐变的第III族氮化物合金；

其中在所述第一光电池和第二光电池之间形成低电阻隧道结。

11.根据权利要求10所述的半导体结构体，其中所述组成渐变的第III族氮化物合金包含In_xGa_1-xN，其中0.0≤x≤1.0，所述In_xGa_1-xN在所述第III族氮化物合金的两个部分之间发生在两个x值之间的渐变。

12.根据权利要求11所述的半导体结构体，其中所述第III族氮化物合金层包含In_xGa_1-xN，其中0.25≤x≤0.45。

13.根据权利要求10所述的半导体结构体，其中所述组成渐变的第III族氮化物合金包含In_xAl_1-xN，其中0.0≤x≤1.0，所述In_xAl_1-xN在所述第III族氮化物合金的两个部分之间发生在两个x值之间的渐变。

14.根据权利要求13所述的半导体结构体，其中所述第III族氮化物合金层包含In_xAl_1-xN，其中0.6≤x≤0.8。

15.一种用于太阳能电池的光电层，其包括：

组成渐变的第III族氮化物合金层。