[发明专利]NdFeB烧结磁体的制造方法和NdFeB烧结磁体有效
| 申请号： | 200980101615.0 | 申请日： | 2009-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN101911227A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 佐川真人;藤本尚辉 | 申请（专利权）人： | 因太金属株式会社 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;B22F3/24;C22C38/00;H01F1/053;H01F1/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，提供一种较以往矫顽和磁化曲线的矩形性更高的NdFeB烧结磁体的制造方法。本发明是在NdFeB烧结磁体基材的表面形成含有Dy和/或Tb的层后，加热至所述磁体基材的烧结温度以下的温度，由此进行通过所述磁体基材的晶界使所述层中的Dy和/或Tb扩散到所述磁体基材内部的晶界扩散处理的NdFeB烧结磁体的制造方法，其中，a)在所述磁体基材中所含的金属状态的稀土量为12.7at％以上，b)所述层是通过粉末的堆积而形成的粉体层，c)所述粉体层含有50mass％以上的金属状态的Dy和/或Tb。 | ||
| 搜索关键词： | ndfeb 烧结 磁体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种NdFeB烧结磁体的制造方法，是在NdFeB烧结磁体基材的表面形成含有Dy和/或Tb的层后，加热至所述磁体基材的烧结温度以下的温度，由此进行使所述层中的Dy和/或Tb通过所述磁体基材的晶界扩散到所述磁体基材内部的晶界扩散处理的NdFeB烧结磁体的制造方法，其特征在于，a)在所述磁体基材中所含的金属状态的稀土量为12.7at％以上，b)所述层是通过粉末的堆积而形成的粉体层，c)所述粉体层含有50mass％以上的金属状态的Dy和/或Tb。
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