[发明专利]NdFeB烧结磁体的制造方法和NdFeB烧结磁体有效
| 申请号： | 200980101615.0 | 申请日： | 2009-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN101911227A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 佐川真人;藤本尚辉 | 申请（专利权）人： | 因太金属株式会社 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;B22F3/24;C22C38/00;H01F1/053;H01F1/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ndfeb 烧结 磁体 制造 方法 | ||
1.一种NdFeB烧结磁体的制造方法，是在NdFeB烧结磁体基材的表面形成含有Dy和/或Tb的层后，加热至所述磁体基材的烧结温度以下的温度，由此进行使所述层中的Dy和/或Tb通过所述磁体基材的晶界扩散到所述磁体基材内部的晶界扩散处理的NdFeB烧结磁体的制造方法，其特征在于，
a)在所述磁体基材中所含的金属状态的稀土量为12.7at％以上，
b)所述层是通过粉末的堆积而形成的粉体层，
c)所述粉体层含有50mass％以上的金属状态的Dy和/或Tb。
2.根据权利要求1所述的NdFeB烧结磁体的制造方法，其特征在于，所述粉体层的量在所述磁体基材的表面每1cm2为7mg以上。
3.根据权利要求1或2所述的NdFeB烧结磁体的制造方法，其特征在于，所述粉体层含有1mass％以上的Al。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的NdFeB烧结磁体的制造方法，其特征在于，所述粉体层含有合计为10mass％以上的Co和/或Ni。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的NdFeB烧结磁体的制造方法，其特征在于，使所述粉体层在晶界扩散处理中熔融。
6.一种NdFeB烧结磁体，是通过使用晶界扩散法的处理而使Dy和/或Tb晶界扩散的NdFeB烧结磁体，其特征在于，
磁体基材是具有3.5mm以上的厚度的板状磁体基材，
所述板状磁体基材中所含的金属状态的稀土量为12.7at％以上，
表示磁化曲线的矩形性的SQ值为90％以上。
7.根据权利要求6所述的NdFeB烧结磁体，其特征在于，在所述晶界附近和所述表面附近含有Al。
8.根据权利要求6或7所述的NdFeB烧结磁体，其特征在于，在所述晶界附近和所述表面附近含有Co和/或Ni。
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