[发明专利]载置台装置、处理装置以及温度控制方法有效
| 申请号: | 200980101584.9 | 申请日: | 2009-01-07 |
| 公开(公告)号: | CN101911252A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
| 发明(设计)人: | 荻野贵史;小松智仁 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C23C16/46;H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/31 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李伟;舒艳君 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供一种载置台装置、处理装置以及温度控制方法。载置台装置具备:载置台(26),其用于在上表面载置被处理体(W);加热机构(30),其具有在载置台(26)上呈同心状被划分的多个加热区域的每个区域内设置的多个加热器部;腿部(28),其连接于载置台(26)的中心部,在竖立的状态下对上述载置台水平地进行支承;温度测量部(38),其与多个加热区域内的最内周的加热区域对应地设置;电源控制部(42),其基于温度测量部(38)的测量值对最内周的加热器部的温度进行反馈控制,并且利用对最内周的加热器部的安全供给电力比,来控制向其他的加热器部供给的电力,其中该安全供给电力比是以使加热区域间的温度差处于载置台(26)不破损的范围的方式决定的。 | ||
| 搜索关键词: | 载置台 装置 处理 以及 温度 控制 方法 | ||
【主权项】:
一种载置台装置,其特征在于,具备:载置台,其用于载置被处理体;加热机构,其具有多个加热器部,这些加热器部设置在上述载置台上呈同心状划分的多个加热区域的每个区域内;腿部,其连接于上述载置台的中心部,对上述载置台水平地进行支承;温度测量部,其与上述多个加热区域内的最内周的加热区域对应地设置;电源控制部,其基于上述温度测量部的测量值对上述最内周的加热器部的温度进行反馈控制,并且利用对上述最内周的加热器部的安全供给电力比,来控制对上述其他的加热器部供给的电力,其中该安全供给电力比是以使加热区域间的温度差处于上述载置台不破损的范围的方式决定的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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