[发明专利]载置台装置、处理装置以及温度控制方法有效
| 申请号: | 200980101584.9 | 申请日: | 2009-01-07 |
| 公开(公告)号: | CN101911252A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
| 发明(设计)人: | 荻野贵史;小松智仁 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C23C16/46;H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/31 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李伟;舒艳君 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 载置台 装置 处理 以及 温度 控制 方法 | ||
1.一种载置台装置,其特征在于,具备:
载置台,其用于载置被处理体;
加热机构,其具有多个加热器部,这些加热器部设置在上述载置台上呈同心状划分的多个加热区域的每个区域内;
腿部,其连接于上述载置台的中心部,对上述载置台水平地进行支承;
温度测量部,其与上述多个加热区域内的最内周的加热区域对应地设置;
电源控制部,其基于上述温度测量部的测量值对上述最内周的加热器部的温度进行反馈控制,并且利用对上述最内周的加热器部的安全供给电力比,来控制对上述其他的加热器部供给的电力,其中该安全供给电力比是以使加热区域间的温度差处于上述载置台不破损的范围的方式决定的。
2.根据权利要求1所述的载置台装置,其特征在于,
上述安全供给电力比被设定为,使上述载置台的最内周的加热区域的温度为最低。
3.根据权利要求2所述的载置台装置,其特征在于,
上述安全供给电力比被设定为,在上述载置台为对应直径300mm的被处理体的载置台时,使上述最内周与最外周的加热区域间的温度差为33℃以内的电力比。
4.根据权利要求1所述的载置台装置,其特征在于,
上述电源控制部在上述载置台升温时和降温时进行控制,以使最内周的加热区域的温度不会变得比最外周的加热区域的温度低规定的温度差以上。
5.根据权利要求1所述的载置台装置,其特征在于,
上述电源控制部以如下方式进行控制:在上述载置台升温时以使最内周的加热区域的温度高于最外周的状态升温,若达到了设定温度,则使向上述各加热器部供给的电力逐渐接近上述安全供给电力比。
6.根据权利要求1所述的载置台装置,其特征在于,
上述温度测量部具有热电偶。
7.根据权利要求1所述的载置台装置,其特征在于,
上述载置台和上述腿部的至少一方由陶瓷材料构成。
8.一种处理装置,其对被处理体实施规定的热处理,其特征在于,具备:
处理容器,其能够排出内部环境气体;
气体供给机构,其向上述处理容器内供给所需的气体;
载置台装置,其载置被处理体,
上述载置台装置具有:
载置台,其用于载置被处理体;
加热机构,其具有多个加热器部,这些加热器部设置在上述载置台上呈同心状划分的多个加热区域的每个区域内;
腿部,其连接于上述载置台的中心部,对上述载置台水平地进行支承;
温度测量部,其与上述多个加热区域内的最内周的加热区域对应地设置;
电源控制部,其基于上述温度测量部的测量值对上述最内周的加热器部的温度进行反馈控制,并且利用对上述最内周的加热器部的安全供给电力比,来控制向上述其他的加热器部供给的电力,其中该安全供给电力比是以使加热区域间的温度差处于上述载置台不破损的范围的方式决定的。
9.一种温度控制方法,是在设置于能够排出内部环境气体的处理容器内的载置台上载置被处理体,并控制具有多个在上述载置台上呈同心状划分的多个加热区域的每个区域内设置的加热器部的加热机构,来进行上述被处理体的温度控制的方法,该温度控制方法的特征在于,包括:
测量上述多个加热区域内的最内周的加热区域的温度;
基于上述测量到的温度对上述最内周的加热器部进行反馈控制,以将其控制为设定温度;
利用对上述最内周的加热器部的安全供给电力比,来控制向上述其他的加热器部供给的电力,其中该安全供给电力比是以使加热区域间的温度差处于上述载置台不破损的范围的方式决定的。
10.根据权利要求9所述的温度控制方法,其特征在于,
在上述载置台升温时,保持最内周的加热区域的温度不会变得比最外周的加热区域的温度低规定的温度差以上的状态。
11.根据权利要求9所述的温度控制方法,其特征在于,
在上述载置台降温时,保持最内周的加热区域的温度不会变得比最外周的加热区域的温度低规定的温度差以上的状态。
12.一种存储介质,其特征在于,存储有使计算机控制处理装置的程序,
在设置于能够排出内部环境气体的处理容器内的载置台上载置被处理体,控制具有多个加热器部的加热机构,这些加热器部在上述载置台上呈同心状划分的多个加热区域的每个区域内设置,进行上述被处理体的温度控制,在对被处理体实施规定的处理时,执行包括如下内容的温度控制方法:
测量上述多个加热区域内的最内周的加热区域的温度;
基于上述测量到的温度对上述最内周的加热器部进行反馈控制,以将其控制为设定温度;
利用对上述最内周的加热器部的安全供给电力比,来控制向上述其他的加热器部供给的电力,其中该安全供给电力比是以使加热区域间的温度差处于上述载置台不破损的范围的方式决定的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





