[发明专利]氮化物半导体晶片的加工方法、氮化物半导体晶片、氮化物半导体设备的制造方法和氮化物半导体设备无效
| 申请号： | 200980101212.6 | 申请日： | 2009-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101884094A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 石桥惠二;三上英则;松本直树 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/306 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 关兆辉;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体晶片的加工方法，在对氮化物半导体晶体进行背面磨削、外周磨削(倒角)、表面磨削及研磨来形成镜面晶片时，翘曲小，不产生裂纹，基板制作工艺成品率高，设备面内成品率高。利用含有0～40重量％的氧化物砂粒的橡胶磨石或发泡树脂结合剂磨石，对氮化物半导体晶片外周部进行倒角，在外周部保留厚度为0.5μm～10μm的加工变性层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 晶片 加工 方法 半导体设备 制造 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体晶片的加工方法，其特征在于，对氮化物半导体晶片的背面进行平面加工，通过蚀刻而去除所产生的背面加工变性层，通过金刚石磨石磨削晶片的外周部，对表面进行平面加工，通过气相蚀刻而去除所产生的表面加工变性层，在晶片的外周部保留厚度为0.5μm～10μm的加工变性层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
