[发明专利]氮化物半导体晶片的加工方法、氮化物半导体晶片、氮化物半导体设备的制造方法和氮化物半导体设备

权利要求书

1.一种氮化物半导体晶片的加工方法，其特征在于，

对氮化物半导体晶片的背面进行平面加工，通过蚀刻而去除所产生的背面加工变性层，通过金刚石磨石磨削晶片的外周部，对表面进行平面加工，通过气相蚀刻而去除所产生的表面加工变性层，在晶片的外周部保留厚度为0.5μm～10μm的加工变性层。

2.一种氮化物半导体晶片的加工方法，其特征在于，

包括：切断氮化物半导体锭并切取晶片的工序；

通过蚀刻而去除产生于背面的加工变性层的工序；

通过金刚石磨石磨削晶片的外周部的工序；

对表面进行平面加工的工序；以及

通过气相蚀刻而去除产生于表面的表面加工变性层的工序，

在晶片的外周部保留厚度为0.5μm～10μm的加工变性层。

3.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体晶片的加工方法，其特征在于，

所述金刚石磨石是将橡胶或发泡树脂作为结合材料来将3000粒度号～600粒度号的100wt％～60wt％的金刚石砂粒和0wt％～40wt％的氧化物砂粒固定在基盘上的磨石。

4.根据权利要求3所述的氮化物半导体晶片的加工方法，其特征在于，

氧化物砂粒是Fe₂O₃、Cr₂O₃、MnO₂、ZnO、CuO、Co₃O₄、Fe₃O₄中的任一种砂粒。

5.一种氮化物半导体晶片的加工方法，其特征在于，

磨削氮化镓晶片的背面，由此在晶片背面产生加工变性层，通过KOH、NaOH、H₃PO₄中的任一种溶液蚀刻去除背面加工变性层，通过橡胶磨石对氮化镓晶片的外周部进行倒角加工，由此在晶片的外周部产生加工变性层，磨削氮化镓晶片的表面，由此在晶片表面产生加工变性层，使用粗砂粒对晶片表面进行粗研磨后使用细砂粒进一步进行精研磨，不将外周部加工变性层完全去除，而是保留1μm～3μm。

6.一种氮化物半导体晶片，其特征在于，

在外周部具有倒角部，外周倒角部的加工变性层的厚度为0.5μm～10μm。

7.根据权利要求6所述的氮化物半导体晶片，其特征在于，

外周部的倒角部的面粗糙度为Ra0.07μm～Ra3μm。

8.根据权利要求6或7所述的氮化物半导体晶片，其特征在于，

外周部的倒角部的氧量为3at％～20at％。

9.根据权利要求6～8中任一项所述的氮化物半导体晶片，其特征在于，

外周部的倒角部的金属量为0.1at％～5at％。

10.一种氮化物半导体晶片，其特征在于，

在外周部具有通过橡胶磨石形成的倒角部，外周部的倒角部具有厚度为1μm～3μm的加工变性层。

11.一种氮化物半导体设备的制造方法，其特征在于，

在权利要求6～10中任一项所述的氮化物半导体晶片上外延生长氮化物半导体薄膜，形成电极，并分割而制作出芯片。

12.一种氮化物半导体设备，其特征在于，

具有在权利要求6～10中任一项所述的氮化物半导体晶片上外延生长的氮化物半导体薄膜和电极。