[发明专利]柔性半导体装置的制造方法及用于它的叠层膜有效

申请号：	200980101094.9	申请日：	2009-07-22
公开（公告）号：	CN101874295A	公开（公告）日：	2010-10-27
发明（设计）人：	一柳贵志;中谷诚一;平野浩一;山下嘉久;小松慎五	申请（专利权）人：	松下电器产业株式会社
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;G09F9/30;H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/3213;H01L21/768;H01L23/52;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/786
代理公司：	中科专利商标代理有限责任公司 11021	代理人：	李贵亮
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	本发明公开了一种柔性半导体装置的制造方法及用于它的叠层膜。该柔性半导体装置的制造方法包括：准备第一金属层(10)、无机绝缘层(20)、半导体层(30)及第二金属层(40)层叠而构成的叠层膜(80)的工序，对第一金属层(10)进行蚀刻，来形成栅极电极(12g)的工序，将树脂层(50)压接在叠层膜(80)中形成有栅极电极(12g)的面上，将栅极电极(12g)埋入并设置在树脂层(50)内的工序，以及对第二金属层(40)进行蚀刻，来形成源极电极(42s)和漏极电极(42d)的工序；无机绝缘层(20)中位于栅极电极(12g)上的部分具有栅极绝缘膜(22)的功能，无机绝缘层(20)上的半导体层(30)中位于源极电极(42s)与漏极电极(42d)之间的部分具有沟道(32)的功能。
搜索关键词：	柔性半导体装置制造方法用于叠层膜
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【主权项】：

一种柔性半导体装置的制造方法，该柔性半导体装置包括薄膜晶体管，其特征在于：该柔性半导体装置的制造方法包括：工序a，准备第一金属层、无机绝缘层、半导体层及第二金属层依次层叠而构成的叠层膜，工序b，对所述第一金属层的一部分进行蚀刻，由此形成由所述第一金属层形成的栅极电极，以及工序c，对所述第二金属层的一部分进行蚀刻，由此形成由所述第二金属层形成的源极电极和漏极电极；所述无机绝缘层中位于所述栅极电极上的部分具有栅极绝缘膜的功能，所述无机绝缘层上的所述半导体层中位于所述源极电极与所述漏极电极之间的部分具有沟道的功能。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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