[发明专利]柔性半导体装置的制造方法及用于它的叠层膜

权利要求书

1.一种柔性半导体装置的制造方法，该柔性半导体装置包括薄膜晶体管，其特征在于：

该柔性半导体装置的制造方法包括：

工序a，准备第一金属层、无机绝缘层、半导体层及第二金属层依次层叠而构成的叠层膜，

工序b，对所述第一金属层的一部分进行蚀刻，由此形成由所述第一金属层形成的栅极电极，以及

工序c，对所述第二金属层的一部分进行蚀刻，由此形成由所述第二金属层形成的源极电极和漏极电极；

所述无机绝缘层中位于所述栅极电极上的部分具有栅极绝缘膜的功能，所述无机绝缘层上的所述半导体层中位于所述源极电极与所述漏极电极之间的部分具有沟道的功能。

2.根据权利要求1所述的柔性半导体装置的制造方法，其特征在于：

还包括：在所述工序b之后且在所述工序c之前，将树脂层压接在所述叠层膜中形成有所述栅极电极的面上，将所述栅极电极埋入并设置在该树脂层内的工序d。

3.根据权利要求2所述的柔性半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述工序d中，树脂层由树脂薄片形成。

4.根据权利要求2所述的柔性半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述工序d包括：

准备形成有贯通两面的多个层间连接部位的所述绝缘层的工序，和

将形成有所述栅极电极的叠层膜压接在所述绝缘层上，由此将所述绝缘层中的层间连接部位与所述栅极电极连接起来的工序。

5.根据权利要求4所述的柔性半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述层间连接部位是浆料通路。

6.根据权利要求2所述的柔性半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述工序d之后，还包括：

对所述绝缘层的表面的一部分进行蚀刻，来形成使所述栅极电极露出的开口部的工序，和

在所述绝缘层的至少包括所述开口部的表面上形成与所述栅极电极电连接的镀金属层的工序。

7.根据权利要求2或4所述的柔性半导体装置的制造方法，其特征在于：

还包括：在所述工序b之后，通过蚀刻除去所述无机绝缘层中除了至少包括所述栅极绝缘膜的区域以外的部分的工序。

8.根据权利要求7所述的柔性半导体装置的制造方法，其特征在于：

还包括：在所述工序b之后，通过蚀刻除去所述半导体层中除了至少包括所述沟道的区域以外的部分的工序。

9.根据权利要求8所述的柔性半导体装置的制造方法，其特征在于：

还包括：在所述工序d之后，将第三金属层压接在所述绝缘层的表面上，然后对该第三金属层进行蚀刻，来形成布线层的工序；

所述布线层经由所述层间连接部位与所述源极电极及所述漏极电极或者/以及所述第二金属层连接。

10.根据权利要求1所述的柔性半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述工序a中，在所述半导体层与所述第二金属层之间还设置有扩散防止层。

11.根据权利要求7所述的柔性半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述工序a中，所述半导体层事先已被图案化，并位于至少包括所述沟道的区域。

12.根据权利要求10所述的柔性半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述工序b中，对所述第一金属层的一部分进行蚀刻，由此与所述栅极电极的形成同时地形成电容器的由所述第一金属层形成的上部电极；

在所述工序c中，对所述第二金属层的一部分进行蚀刻，由此与所述源极电极及所述漏极电极的形成同时地形成电容器的由所述第二金属层形成的下部电极；

所述无机绝缘层中位于所述上部电极与所述下部电极之间的部分具有电容器的介电体层的功能。

13.一种叠层膜，在权利要求1所述的柔性半导体装置的制造方法中使用该叠层膜，其特征在于：

所述叠层膜由第一金属层、无机绝缘层、半导体层及第二金属层依次层叠而构成的四层叠层膜构成；

对所述第一金属层的一部分进行蚀刻，由此形成有栅极电极；

对所述第二金属层的一部分进行蚀刻，由此形成有源极电极和漏极电极；

所述无机绝缘层具有栅极绝缘膜的功能，所述半导体层具有沟道的功能。