[实用新型]独立切割模型的模型底模无效
申请号: | 200920256619.3 | 申请日: | 2009-11-16 |
公开(公告)号: | CN201540884U | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
发明(设计)人: | 金度亨 | 申请(专利权)人: | 正文电子(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;B26F1/44 |
代理公司: | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人: | 席卷;孟宏伟 |
地址: | 215126 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种独立切割模型的模型底模,其特征在于:所述独立切割模型的模型底模包括本体,所述本体的上表面上设置有凹槽。另外所述本体上设置有操作手柄。该独立切割模型的模型底模结构简单,成本较低,并具有较强的生产灵活性,方便实现生产不同规格的产品,并具有较高稳定性,大大提高了生产出的产品的优良率。另外设置了操作手柄,使该模型底模操作方便。 | ||
搜索关键词: | 独立 切割 模型 | ||
【主权项】:
一种独立切割模型的模型底模,其特征在于:所述独立切割模型的模型底模包括本体,所述本体的上表面上设置有凹槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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