[实用新型]高亮度发光二极管组件无效
| 申请号： | 200920219829.5 | 申请日： | 2009-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN201547553U | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 陈元杰;蔡浚名 | 申请（专利权）人： | 普照光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | F21S2/00 | 分类号： | F21S2/00;F21V7/04;F21V23/00;F21V19/00;F21V7/22;H01L33/00;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 王德桢 |
| 地址： | 中国台湾台北县深坑*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种高亮度发光二极管组件，它包括有一金属基板、至少一发光二极管，以及至少一封装层；其金属基板的板面上设有至少一凹坑供容置发光二极管，于预定的凹坑底部形成有至少一反射凸部，另于金属基板的板面上方设有电路架构供各发光二极管与外部电源电性连接，各封装层是相对填覆在各发光二极管外。在金属基板的凹坑壁面及反射凸部的反射作用下，明显改善发光二极管的光线照射效果，增加发光二极管组件的亮度，以及在金属基板的导热作用下，可加速发光二极管的废热排放。 | ||
| 搜索关键词： | 亮度 发光二极管 组件 | ||
【主权项】：
一种高亮度发光二极管组件，其特征在于，包括有：一金属基板，其板面设有至少一凹坑，各凹坑底部是相对与该金属基板的板面形成一高度落差，并且在预定的凹坑底部一体加工成型有至少一反射凸部；一电路架构，建构在该金属基板的板面；至少一发光二极管，设于该金属基板的凹坑底部相对于凹坑壁面与反射凸部之间，并与该电路架构电性连接；至少一封装层，相对填覆在各发光二极管外。
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