[实用新型]高亮度发光二极管组件无效
| 申请号： | 200920219829.5 | 申请日： | 2009-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN201547553U | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 陈元杰;蔡浚名 | 申请（专利权）人： | 普照光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | F21S2/00 | 分类号： | F21S2/00;F21V7/04;F21V23/00;F21V19/00;F21V7/22;H01L33/00;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 王德桢 |
| 地址： | 中国台湾台北县深坑*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 亮度 发光二极管 组件 | ||
1.一种高亮度发光二极管组件，其特征在于，包括有：
一金属基板，其板面设有至少一凹坑，各凹坑底部是相对与该金属基板的板面形成一高度落差，并且在预定的凹坑底部一体加工成型有至少一反射凸部；
一电路架构，建构在该金属基板的板面；
至少一发光二极管，设于该金属基板的凹坑底部相对于凹坑壁面与反射凸部之间，并与该电路架构电性连接；
至少一封装层，相对填覆在各发光二极管外。
2.根据权利要求1所述的高亮度发光二极管组件，其特征在于，各凹坑的表面为电镀银。
3.根据权利要求1所述的高亮度发光二极管组件，其特征在于，该各反射凸部覆盖有白色有机材料。
4.根据权利要求1所述的高亮度发光二极管组件，其特征在于，该电路架构为一由铜箔所构成的线路层，并通过一绝缘层与该金属基板表面隔离。
5.根据权利要求4所述的高亮度发光二极管组件，其特征在于，该铜箔上设有一防焊层。
6.根据权利要求1所述的高亮度发光二极管组件，其特征在于，该至少一发光二极管黏着固定在该金属基板的凹坑底部。
7.根据权利要求1所述的高亮度发光二极管组件，其特征在于，该至少一封装层是由树脂所构成。
8.根据权利要求1所述的高亮度发光二极管组件，其特征在于，该至少一封装层是由树脂结合荧光粉所构成。
9.根据权利要求1所述的高亮度发光二极管组件，其特征在于，该至少一反射凸部为一凸粒。
10.根据权利要求1所述的高亮度发光二极管组件，其特征在于，该至少一反射凸部为一凸条。
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