[实用新型]用于多晶槽式制绒设备的去多孔硅系统无效
| 申请号： | 200920208697.6 | 申请日： | 2009-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN201478277U | 公开（公告）日： | 2010-05-19 |
| 发明（设计）人： | 周柏林;袁佩君;大石满 | 申请（专利权）人： | 北京中联科伟达技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 100012 北京市朝阳区北苑路4*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种用于多晶槽式制绒设备的去多孔硅系统，包括消防装置、热交换器、补液系统、管路系统、去多孔硅主槽、碱储槽；补液系统连接到去多孔硅主槽，去多孔硅主槽与补液系统的补液口直接相连，去多孔硅主槽循环出液口直接与碱储槽相连，依次通过碱储槽、泵、热交换器、气控阀连接到去多孔硅主槽循环进液口；消防装置的灭火器喷口、探头在去多孔硅主槽的后上方。本实用新型可以大大提高效率，并降低溶液的消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 多晶 槽式制绒 设备 多孔 系统 | ||
【主权项】：
一种用于多晶槽式制绒设备的去多孔硅系统，其特征在于，包括消防装置、热交换器、补液系统、管路系统、去多孔硅主槽、碱储槽；补液系统连接到去多孔硅主槽，去多孔硅主槽与补液系统的补液口直接相连，去多孔硅主槽循环出液口直接与碱储槽相连，依次通过碱储槽、泵、热交换器、气控阀连接到去多孔硅主槽循环进液口；消防装置的灭火器喷口、探头在去多孔硅主槽的后上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
