[实用新型]用于多晶槽式制绒设备的去多孔硅系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体技术领域中的制绒设备，具体的说，涉及的是一种用于多晶槽式制绒设备的去多孔硅系统。

背景技术

制绒是对硅片表面进行各向同性腐蚀，形成微沟，降低硅片表面的反射率，促使太阳在硅片表面进行多级反射，提升光的利用率。在太阳能晶硅电池的制备工艺中，制绒工艺是关系到太阳能电池表面的光吸收的重要部分，也是提高太阳能电池转换效率的重要途径之一。

在太阳能电池迅速发展应用的今天，对于目前占主要市场的晶体硅太阳能电池，未经表面处理的发射率一般超过30％，经过碱液等各向异性化学腐蚀形成表面微米级随机金字塔结构绒面后单晶硅电池表面发射率可以降到10％，多晶硅电池由于表面晶粒的晶向差异，目前普遍采用的各向行化学腐蚀只能将发射率降低到20％。

现有技术中，已经有一些相关的制绒设备，比如德国瑞娜平面输送酸制绒设备，该设备平面输送把硅片放在滚筒装置上(8片一排)输送到KOH绒液里实现去多孔硅的目的，但是这种滚筒方式碎片率高、效率低，耗液多。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是，针对现有技术中存在的上述不足，提供了一种用于多晶槽式制绒设备的去多孔硅系统，该系统可以大大提高效率，并降低溶液的消耗。

为实现以上目的，本实用新型提供了一种用于多晶槽式制绒设备的去多孔硅系统，该系统包括消防装置、热交换器、补液系统、管路系统、去多孔硅主槽、碱储槽。

补液系统连接到去多孔硅主槽，去多孔硅主槽与补液系统的补液口直接相连，去多孔硅主槽循环出液口直接与碱储槽相连，依次通过碱储槽、泵、热交换器、气控阀连接到去多孔硅主槽循环进液口，从而达到温度的恒定性；消防装置的灭火器喷口、探头在去多孔硅主槽的后上方，避免在反应过程中产生的H₂在温度过高的时候出现燃烧，进而保证安全性。

所述的补液系统可以设置在一独立空间内，依次通过泵、流量计、气控阀直接连接并供给去多孔硅主槽，或者依次通过泵、第一流量计、第一气控阀、称量槽、第一气控阀、第二流量计连接并补液到去多孔硅主槽体内。

与以往的技术相比(比如常见的德国瑞娜平面输送酸制绒设备)平面输送把硅片放在滚筒装置上(8片一排)输送到KOH绒液里实现去多孔硅，本实用新型去多孔硅系统是把硅片装进花篮，每篮200片，30秒钟就能完成多孔硅任务，因是由伺服机械手传递所以碎片率低，效率高且耗液少的优势。

附图说明

图1为本实用新型一个实施例结构示意图；

图中：1、消防装置；2、热交换器；3、补液系统；4、管路系统；5、去多孔硅主槽；6、碱储槽；7、称量槽；8、灭火器喷口；9、泵；10、流量计；11、气动阀。

具体实施方式

以下结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明，以下的描述仅用于理解本实用新型技术方案之用，不用于限定本实用新型的范围。

本实用新型提供一种用于多晶槽式制绒设备的去多孔硅系统，如图1所示，在该系统的一个实施例中，包括：消防装置1、热交换器2、补液系统3、管路系统4、去多孔硅主槽5、碱储槽6。

补液系统3连接到去多孔硅主槽5，去多孔硅主槽5与补液系统3的补液口直接相连，去多孔硅主槽5循环出液口直接与碱储槽6相连，依次通过碱储槽6、泵9、热交换器2、气控阀11连接到去多孔硅主槽5循环进液口；消防装置1的灭火器喷口8、探头9在去多孔硅主槽5的后上方。

所述的补液系统可以设置在在独立空间内，依次通过泵9、流量计10、气控阀11直接连接并供给去多孔硅主槽5，或者依次通过泵9、第一流量计10、第一气控阀11、称量槽7、第二气控阀、第二流量计连接并补液到去多孔硅主槽5内。

所述的去多孔硅系统还设有过滤装置。所述的过滤装置可以采用过滤泵等一般技术实现。

本实用新型工作流程：先配好合适的液体，由水和KOH混液，设定好安全温度，设定好每批需补充的液体，选择使用程序：该装置分喷淋和浸泡，正常使用一般选用浸泡模式。

当设备运行时机械手把花篮传送到该装置内(KOH液槽)数秒钟后释放些氢气气体由排风装置快速抽走。时间到达将硅片的黄斑、多孔硅清除干净，当机械手把花篮取走后立即按设定好的液体补充到多孔硅主槽内，设备工作时过滤统不断循环，冷却系统恒温保证。排液或更换液体时打开过滤泵和排液阀即可正常排干。

本实用新型中，循环药液经热交换器与低温冷水进行热交换，在冷水机制冷量、药液循环量足够的情况下，将药液温度始终控制在工艺温度范围之内，从而保证多晶制绒、去多孔硅工艺温度，避免工艺中化学反应放热对温度的影响。

本实用新型是把硅片装进花篮，每篮200片，30秒钟就能完成多孔硅任务，因是由伺服机械手传递所以碎片率低，效率高且耗液少的优势。