[实用新型]一种静电保护电路及集成电路无效
| 申请号： | 200920206190.7 | 申请日： | 2009-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN201562956U | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 白云亮;徐坤平;杨云 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/00 | 分类号： | H02H9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种静电保护电路及集成电路，其中静电保护电路包括多指并联的GGNMOS管、第一电阻、在ESD发生时用来均匀快速导通GGNMOS管的导通电路模块；所述第一电阻的两端分别连接I/O端口和内部芯片，所述GGNMOS管的漏极连接I/O端口，其栅极连接导通电路模块的输出端，GGNMOS管的源极和衬底与地相连接，所述导通电路模块的两个输入端分别连接I/O端口和地。一种集成电路，包括上述结构的静电保护电路。当ESD发生时，即有一非常高的瞬时电压加到I/O端口，由于导通电路模块能够使得GGNMOS均匀快速的导通，从而增强了静电保护电路的整体静电保护能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 静电 保护 电路 集成电路 | ||
【主权项】：
一种静电保护电路，包括多指并联的GGNMOS管，其特征在于：还包括第一电阻、在ESD发生时用来均匀快速导通GGNMOS管的导通电路模块；所述第一电阻的两端分别连接I/O端口和内部芯片，所述GGNMOS管的漏极连接I/O端口，其栅极连接导通电路模块的输出端，GGNMOS管的源极和衬底与地相连接，所述导通电路模块的两个输入端分别连接I/O端口和地。
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